With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’sTantalum Carbide TaC CVD Coating Wafer Susceptorto explore more about our advanced solutions.
Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo tantalum (TAC) para varios componentes y portadores. El proceso de recubrimiento principal de semicera permite que los recubrimientos de carburo tantálio (TAC) logren una alta pureza, estabilidad de alta temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GaN y las capas EPI (Susceptor TAC recubierto de grafito), y extendiendo la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TAC TAC Tantalum es resolver el problema del borde y mejorar la calidad del crecimiento de los cristales, y las semicera han resuelto la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’s Tantalum Carbide TAC CVD Recubrimiento de obleas susceptor to explore more about our advanced solutions.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología de CVD TAC con los esfuerzos conjuntos del departamento de I + D. Los defectos son fáciles de ocurrir en el proceso de crecimiento de las obleas SIC, pero después de usar TAC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de las obleas con y sin TAC, así como las partes de Simicera para el crecimiento de un solo cristal.
Además, Semicera's Productos recubiertos de TAC exhibir una vida útil más larga y una mayor resistencia a alta temperatura en comparación con Recubrimientos sic. Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestro Recubrimientos TAC puede realizar constantemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación hay algunos ejemplos de nuestras muestras:
