Con la llegada de las obleas de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas, los requisitos para diversos procesos de semiconductores se han vuelto cada vez más estrictos, especialmente para los procesos de epitaxia donde las temperaturas pueden superar los 2000 grados Celsius. Los materiales susceptores tradicionales, como el grafito recubierto con carburo de silicio, tienden a sublimarse a estas altas temperaturas, interrumpiendo el proceso de epitaxia. Sin embargo, el carburo de tantalio (TaC) CVD aborda eficazmente este problema, resistiendo temperaturas de hasta 2300 grados Celsius y ofreciendo una vida útil más larga. Comuníquese con el susceptor de oblea de recubrimiento CVD TaC de carburo de tantalio de Semicera para explorar más sobre nuestras soluciones avanzadas.
Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes. El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, estabilidad a alta temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (susceptor de TaC recubierto de grafito) y extendiendo la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
Con la llegada de las obleas de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas, los requisitos para diversos procesos de semiconductores se han vuelto cada vez más estrictos, especialmente para los procesos de epitaxia donde las temperaturas pueden superar los 2000 grados Celsius. Los materiales susceptores tradicionales, como el grafito recubierto con carburo de silicio, tienden a sublimarse a estas altas temperaturas, interrumpiendo el proceso de epitaxia. Sin embargo, el carburo de tantalio (TaC) CVD aborda eficazmente este problema, resistiendo temperaturas de hasta 2300 grados Celsius y ofreciendo una vida útil más larga. Contactar semicera’ s Susceptor de oblea con recubrimiento CVD TaC de carburo de tantalio para explorar más sobre nuestras soluciones avanzadas.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología de CVD TaC con los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de usar TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Simicera para el crecimiento de monocristales.
Además, los productos recubiertos de TaC de Semicera exhiben una vida útil más larga y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación con Recubrimientos de SiC. Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestros recubrimientos TaC pueden funcionar consistentemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación se muestran algunos ejemplos de nuestras muestras.:
