{"id":1401,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/4%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:47","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:47","slug":"4%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/product\/4\u2033-gallium-oxide-substrates\/","title":{"rendered":"Sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033"},"content":{"rendered":"
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Semicera<\/em> Orgullosamente presenta su Sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033<\/strong>, un material innovador dise\u00f1ado para satisfacer las crecientes demandas de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. \u00d3xido de galio (GA2<\/sub>O3<\/sub>) Los sustratos ofrecen una banda de banda ultra de ancho, lo que los hace ideales para la electr\u00f3nica de potencia de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, la optoelectr\u00f3nica UV y los dispositivos de alta frecuencia.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Caracter\u00edsticas clave:<\/strong><\/span><\/p>\n

<\/strong>\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022 Ultra ancho de banda<\/strong>: El Sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033<\/strong> Cuenta con un BANGAP de aproximadamente 4.8 eV, lo que permite una tolerancia excepcional en voltaje y temperatura, superando significativamente los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Voltaje de desglose alto<\/strong>: Estos sustratos permiten que los dispositivos funcionen a voltajes y potencias m\u00e1s altos, lo que los hace perfectos para aplicaciones de alta voltaje en Electr\u00f3nica de potencia.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Estabilidad t\u00e9rmica superior<\/strong>: Los sustratos de \u00f3xido de galio ofrecen una excelente conductividad t\u00e9rmica, asegurando un rendimiento estable en condiciones extremas, ideal para su uso en entornos exigentes.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Alta calidad de material<\/strong>: Con bajas densidades de defectos y alta calidad de cristal, estos sustratos aseguran un rendimiento confiable y consistente, mejorando la eficiencia y la durabilidad de sus dispositivos.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0<\/strong>Aplicaci\u00f3n vers\u00e1til<\/strong>: Adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluidos transistores de energ\u00eda, diodos Schottky y dispositivos LED UV-C, que permiten innovaciones en los campos de energ\u00eda y optoelectr\u00f3nicos.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Explore el futuro de la tecnolog\u00eda de semiconductores con las semicera Sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033<\/strong>. Nuestros sustratos est\u00e1n dise\u00f1ados para admitir las aplicaciones m\u00e1s avanzadas, proporcionando la confiabilidad y la eficiencia requeridas para los dispositivos de vanguardia de hoy. Conf\u00ede en las semicera para la calidad y la innovaci\u00f3n en sus materiales semiconductores.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\n

Elementos<\/p>\n<\/td>\n

\n

Producci\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n

\n

Investigaci\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ficticio<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Par\u00e1metros de cristal<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Politito<\/p>\n<\/td>\n

\n

4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Error de orientaci\u00f3n de la superficie<\/p>\n<\/td>\n

\n

4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Par\u00e1metros el\u00e9ctricos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Dopante<\/p>\n<\/td>\n

\n

nitr\u00f3geno de tipo N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Resistividad<\/p>\n<\/td>\n

\n

0.015-0.025ohm \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Par\u00e1metros mec\u00e1nicos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Di\u00e1metro<\/p>\n<\/td>\n

\n

150.0 \u00b1 0.2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Espesor<\/p>\n<\/td>\n

\n

350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Orientaci\u00f3n plana primaria<\/p>\n<\/td>\n

\n

[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Longitud plana primaria<\/p>\n<\/td>\n

\n

47.5 \u00b1 1.5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Plano secundario<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Arco<\/p>\n<\/td>\n

\n

-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Urdimbre<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rugosidad delantera (SI-FACE) (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA\u22640.2Nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Estructura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Densidad de micropipe<\/p>\n<\/td>\n

\n

<1 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<15 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Impurezas de metal<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2264500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Calidad frontal<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Frente<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Acabado superficial<\/p>\n<\/td>\n

\n

SI-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Part\u00edculas<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226460ea\/oblea (tama\u00f1o \u22650.3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ara\u00f1azos<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm. Longitud acumulativa \u2264diameter<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud acumulativa \u22642*di\u00e1metro<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Peel de naranja\/pits\/manchas\/estr\u00edas\/grietas\/contaminaci\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Chips de borde\/sangr\u00eda\/placas hexagonales<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00c1reas de politype<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1rea acumulada \u226420%<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1rea acumulada \u226430%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Marcado l\u00e1ser delantero<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Calidad espalda<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Final<\/p>\n<\/td>\n

\n

CMP C-FACE<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ara\u00f1azos<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645EA\/mm, longitud acumulativa \u22642*di\u00e1metro<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Defectos posteriores (chips\/muescas de borde)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rugosidad<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA\u22640.2Nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Marcado l\u00e1ser de espalda<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (desde el borde superior)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Borde<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Borde<\/p>\n<\/td>\n

\n

Chafl\u00e1n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Embalaje<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Embalaje<\/p>\n<\/td>\n

\n

Lista de EPI con embalaje de vac\u00edo<\/p>\n

Embalaje de cassette de m\u00faltiples obras<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

*Notas: \"NA\" significa que ning\u00fan elemento de solicitud no mencionado puede referirse a SEMI-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\n
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\n
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\n
\"Obleas <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033: desbloquee nuevos niveles de eficiencia y rendimiento en la electr\u00f3nica de potencia y dispositivos UV con sustratos de \u00f3xido de galio de 4 \u2033 de alta calidad de Semicera, dise\u00f1ados para aplicaciones de semiconductores de vanguardia.<\/p>","protected":false},"featured_media":725,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[54,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1401","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-gallium-oxide-ga203","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1401","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1401"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/725"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1401"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1401"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1401"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1401"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}