Semicera’s SiC Ceramic Seal Part is designed for the semiconductor manufacturing industry, providing excellent sealing performance and durability. It uses high-quality Silicon Carbide (SiC) material, combined with Alumina (Al2O3) and Silicon Nitride (Si3N4), to ensure reliable performance in high temperature and harsh environments, and is widely used in wafer boats and wafer carriers.
Semicera’s self-developed SiC Ceramic Seal Part is designed to meet the high standards of modern semiconductor manufacturing. This sealing part uses high-performance silicon carbide (SiC) material with excellent wear resistance and chemical stability to ensure excellent sealing performance in extreme environments. Combined with aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (Si3N4), this part performs well in high-temperature applications and can effectively prevent gas and liquid leakage.
When used in conjunction with equipment such as wafer boats and wafer carriers, Semicera’s SiC Ceramic Seal Part can significantly improve the efficiency and reliability of the overall system. Its superior temperature resistance and corrosion resistance make it an indispensable component in high-precision semiconductor manufacturing, ensuring stability and safety during the production process.
In addition, the design of this sealing part has been carefully optimized to ensure compatibility with a variety of equipment, making it easy to use in different production lines. Semicera’s R&D team continues to work hard to promote technological innovation to ensure the competitiveness of its products in the industry.
Choosing Semicera’s SiC Ceramic Seal Part, you will get a combination of high performance and reliability, helping you achieve more efficient production processes and excellent product quality. Semicera is always committed to providing customers with the best semiconductor solutions and services to promote the continuous development and progress of the industry.
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Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière chambre. Nos travailleurs travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99.99%, et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99.99995%.
