850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer

850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer– Discover the next generation of semiconductor technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, designed for superior performance and efficiency in high-voltage applications.

Seminer introduces the 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, a breakthrough in semiconductor innovation. This advanced epi wafer combines the high efficiency of Gallium Nitride (GaN) with the cost-effectiveness of Silicon (Si), creating a powerful solution for high-voltage applications.

Caractéristiques clés:

• High Voltage Handling: Engineered to support up to 850V, this GaN-on-Si Epi Wafer is ideal for demanding power electronics, enabling higher efficiency and performance.

• Enhanced Power Density: With superior electron mobility and thermal conductivity, GaN technology allows for compact designs and increased power density.

• Cost-Effective Solution: By leveraging silicon as the substrate, this epi wafer offers a cost-effective alternative to traditional GaN wafers, without compromising on quality or performance.

• Wide Application Range: Perfect for use in power converters, RF amplifiers, and other high-power electronic devices, ensuring reliability and durability.

Explore the future of high-voltage technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer. Designed for cutting-edge applications, this product ensures your electronic devices operate with maximum efficiency and reliability. Choose Semicera for your next-generation semiconductor needs.

Articles	Production	Recherche	Factice
Paramètres de cristal
Polytype	4H
Erreur d'orientation de la surface	4±0.15°
Paramètres électriques
Dopant	azote de type N
Résistivité	0,015-0.025ohm · cm
Paramètres mécaniques
Diamètre	150,0 ± 0,2 mm
Épaisseur	350 ± 25 µm
Orientation plate primaire	[1-100]±5°
Longueur plate primaire	47,5 ± 1,5 mm
Plat secondaire	Aucun
TTV	≤5 µm	≤10 µm	≤15 µm
LTV	≤3 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Arc	-15 μm ~ 15μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Chaîne	≤35 µm	≤45 µm	≤55 µm
Rugosité avant (si-face) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Structure
Densité de micro-	<1 ea / cm2	<10 ea / cm2	<15 ea / cm2
Impuretés métalliques	≤5E10atoms/cm2		N / A
BPB	≤1500 ea / cm2	≤3000 ea / cm2	N / A
TSD	≤500 ea / cm2	≤1000 ea / cm2	N / A
Qualité avant
Devant	Si
Finition de surface	CMP SI-FACE
Particules	≤60ea / plaquette (taille 0,3 μm)	N / A
Rayures	≤5EA / MM. Longueur cumulative ≤ diamètre	Longueur cumulatif ≤2 * diamètre	N / A
PELLE / PEPES ORANGE / TAPPES / COMMENTS / CRESCHES / CONTAMINATION	Aucun		N / A
Coups de bord / retraits / fracture / plaques hexagonales	Aucun
Zones de polytype	Aucun	Zone cumulative≤20%	Zone cumulative ≤ 30%
Marquage laser avant	Aucun
Qualité du dos
Finition arrière	CMP C-FACE
Rayures	≤5ea / mm, longueur cumulative≤2 * diamètre	N / A
Défauts arrière (puces de bord / retraits)	Aucun
Rugosité du dos	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Marquage laser arrière	1 mm (du bord supérieur)
Bord
Bord	Chanfreiner
Conditionnement
Conditionnement	Préparé en épi avec un emballage sous vide Emballage de cassette multi-wafer
*Remarques: «NA» signifie qu'aucun élément de demande non mentionné ne peut se référer au semi-std.