Semicera provides high-quality CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring has excellent quality and performance, they are designed for etching steps to provide stable etching performance and excellent etching results. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is a special component made of Silicon Carbide (SiC) using the Chemical Vapor Deposition (CVD) method. CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring plays a key role in a variety of industrial applications, especially in processes involving material etching. Silicon Carbide is a unique and advanced ceramic material known for its outstanding properties, including high hardness, excellent thermal conductivity and resistance to harsh chemical environments.
The Chemical Vapor Deposition process involves depositing a thin layer of SiC onto a substrate in a controlled environment, resulting in a high-purity and precisely engineered material. CVD Silicon Carbide is known for its uniform and dense microstructure, excellent mechanical strength and enhanced thermal stability.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is made of CVD Silicon Carbide, which not only ensures excellent durability, but also resists chemical corrosion and extreme temperature changes. This makes it ideal for applications where precision, reliability and life are critical.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière chambre. Nos travailleurs travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99.99%, et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99.99995%
