With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’sCVD Tantalum Carbide Coated Halfmoon Partto explore more about our advanced solutions.
Semicera propose des revêtements de carbure de tantale (TAC) spécialisés pour divers composants et transporteurs. Le processus de revêtement des semirera permet des revêtements de carbure de tantale (TAC) pour obtenir une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant la qualité du produit des cristaux SIC / GaN et des couches EPI (Suscepteur TAC revêtu de graphite), et prolonger la durée de vie des composants du réacteur clé. L'utilisation du revêtement en carbure de carbure de tantale consiste à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance des cristaux, et Semicera a permis de résoudre la technologie du revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.
With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’s CVD Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part to explore more about our advanced solutions.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
De plus, les semirera Produits enrobés de TAC présenter une durée de vie plus longue et une plus grande résistance à haute température par rapport à Revêtements sic. Des mesures de laboratoire ont démontré que notre Revêtements de tac Peut régulièrement effectuer à des températures allant jusqu'à 2300 degrés Celsius pendant de longues périodes. Voici quelques exemples de nos échantillons:
