Product introduction and use: Place 19 pieces of 2 time substrate for the growth of deep ultraviolet LED epitaxial filmDevice location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the waferMain downstream products :LED chipsMain end market: LED
Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SiC protective layer.
1. Résistance à l'oxydation à haute température:
La résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température est aussi élevée que 1600 C.
2.
3. Résistance à l'érosion: dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion: réactifs acide, alcalin, sel et organique.
| Propriétés SIC-CVD | ||
| Structure cristalline | FCC β phase | |
| Densité | g/cm ³ | 3.21 |
| Dureté | Vickers dureté | 2500 |
| Taille des grains | μm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Résistance aux félexes | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young’ s Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W / mk) | 300 |
