19 pieces of 2 inch graphite base MOCVD equipment parts

● Product introduction and use: Place 19 pieces of 2 inch substrate for the growth of blue-green epitaxial films in LED production
● Device location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the wafer
● Main downstream products : LED chips
● Main end market: LED

Description

 

 

 

 

 

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SiC protective layer.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Caractéristiques principales

 

 

 

 

 

1. Résistance à l'oxydation à haute température:
La résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température est aussi élevée que 1600 C.
2.
3. Résistance à l'érosion: dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion: réactifs acide, alcalin, sel et organique.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Spécifications principales du revêtement CVD-SIC

 

 

 

 

 

Propriétés SIC-CVD
Structure cristalline FCC β phase
Densité g/cm ³ 3.21
Dureté Vickers dureté 2500
Taille des grains μm 2~10
Pureté chimique % 99.99995
Capacité thermique J·kg-1 ·K-1 640
Température de sublimation 2700
Résistance aux félexes MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Expansion thermique (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductivité thermique (W / mk) 300

 

 

 

 

 

19 pieces of 2 inch graphite base MOCVD equipment parts

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 Equipment

 

 

 

 

 

about

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lieu de travail Semiera

 

 

 

Semirara Lieu de travail 2

 

 

 

Machine de matériel

 

 

 

Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD

 

 

 

Maison des articles semira

 

 

 

Notre service

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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