Radiateurs enduits en carbure de silicium

Silicon carbide heater is coated with metal oxide, that is, far infrared paint silicon carbide plate as a radiation element, in the element hole (or groove) into the electric heating wire, in the bottom of the silicon carbide plate put thicker insulation, refractory, heat insulation material, and then installed on the metal shell, the terminal can be used to connect the power supply.When the far infrared ray of the silicon carbide heater radiates to the object, it can absorb, reflect and pass through. The heated and dried material absorbs far-infrared radiation energy at a certain depth of internal and surface molecules at the same time, producing a self-heating effect, so that the solvent or water molecules evaporate and heat evenly, thus avoiding deformation and qualitative change due to different degrees of thermal expansion, so that the appearance of the material, physical and mechanical properties, fastness and color remain intact.

Description

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

SiC Heating Element (17)

SiC Heating Element (22)

SiC Heating Element (23)

Caractéristiques principales

1. Résistance à l'oxydation à haute température:
La résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température est aussi élevée que 1600 C.
2.
3. Résistance à l'érosion: dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion: réactifs acide, alcalin, sel et organique.

Spécifications principales du revêtement CVD-SIC

Propriétés SIC-CVD

Structure cristalline Phase FCC β
Densité g / cm ³ 3.21
Dureté Vickers dureté 2500
Taille des grains MM 2~10
Pureté chimique % 99.99995
Capacité thermique J · kg-1 · k-1 640
Température de sublimation 2700
Résistance aux félexes MPA (RT 4 points) 415
Module de jeunes GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Expansion thermique (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductivité thermique (W / mk) 300

Lieu de travail Semiera

Semirara Lieu de travail 2

Machine de matériel

Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD

Maison des articles semira

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