Semicera’s TaC coating offers exceptional high-temperature stability, surpassing SiC, withstanding up to 2300℃. Ideal for aerospace and third-generation semiconductor single crystal growth, it provides corrosion, oxidation, and wear resistance. Choose Semicera for top-tier factory manufacturing and quality.
Semicera propose des revêtements de carbure de tantale (TAC) spécialisés pour divers composants et transporteurs. Le processus de revêtement des semirera permet des revêtements de carbure de tantale (TAC) pour obtenir une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant la qualité du produit des cristaux SIC / GaN et des couches EPI (Suscepteur TAC revêtu de graphite), et prolonger la durée de vie des composants du réacteur clé. L'utilisation du revêtement en carbure de carbure de tantale consiste à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance des cristaux, et Semicera a permis de résoudre la technologie du revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth
In addition, the service life of Semicera’s TaC coating products is longer and more resistant to high temperature than that of SiC coating. After a long time of laboratory measurement data, our TaC can work for a long time at a maximum of 2300 degrees Celsius. The following are some of our samples:
