Substrat de galerie de nitrure d'aluminium de 30 mm

30mm Aluminum Nitride Wafer Substrate– Elevate the performance of your electronic and optoelectronic devices with Semicera’s 30mm Aluminum Nitride Wafer Substrate, designed for exceptional thermal conductivity and high electrical insulation.

Seminer is proud to present the Substrat de galerie de nitrure d'aluminium de 30 mm, a top-tier material engineered to meet the stringent demands of modern electronic and optoelectronic applications. Aluminum Nitride (AlN) substrates are renowned for their outstanding thermal conductivity and electrical insulation properties, making them an ideal choice for high-performance devices.

Caractéristiques clés:

• Exceptional Thermal Conductivity: The Substrat de galerie de nitrure d'aluminium de 30 mm boasts a thermal conductivity of up to 170 W/mK, significantly higher than other substrate materials, ensuring efficient heat dissipation in high-power applications.

• High Electrical Insulation: With excellent electrical insulating properties, this substrate minimizes cross-talk and signal interference, making it ideal for RF and microwave applications.

• Résistance mécanique: The Substrat de galerie de nitrure d'aluminium de 30 mm offers superior mechanical strength and stability, ensuring durability and reliability even under rigorous operating conditions.

• Versatile Applications: This substrate is perfect for use in high-power LEDs, laser diodes, and RF components, providing a robust and reliable foundation for your most demanding projects.

• Precision Fabrication: Semicera ensures that each wafer substrate is fabricated with the highest precision, offering uniform thickness and surface quality to meet the exacting standards of advanced electronic devices.

Maximize the efficiency and reliability of your devices with Semicera’s Substrat de galerie de nitrure d'aluminium de 30 mm. Our substrates are designed to deliver superior performance, ensuring that your electronic and optoelectronic systems operate at their best. Trust Semicera for cutting-edge materials that lead the industry in quality and innovation.

Articles	Production	Recherche	Factice
Paramètres de cristal
Polytype	4H
Erreur d'orientation de la surface	4±0.15°
Paramètres électriques
Dopant	azote de type N
Résistivité	0,015-0.025ohm · cm
Paramètres mécaniques
Diamètre	150,0 ± 0,2 mm
Épaisseur	350 ± 25 µm
Orientation plate primaire	[1-100]±5°
Longueur plate primaire	47,5 ± 1,5 mm
Plat secondaire	Aucun
TTV	≤5 µm	≤10 µm	≤15 µm
LTV	≤3 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Arc	-15 μm ~ 15μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Chaîne	≤35 µm	≤45 µm	≤55 µm
Rugosité avant (si-face) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Structure
Densité de micro-	<1 ea / cm2	<10 ea / cm2	<15 ea / cm2
Impuretés métalliques	≤5E10atoms/cm2		N / A
BPB	≤1500 ea / cm2	≤3000 ea / cm2	N / A
TSD	≤500 ea / cm2	≤1000 ea / cm2	N / A
Qualité avant
Devant	Si
Finition de surface	CMP SI-FACE
Particules	≤60ea / plaquette (taille 0,3 μm)	N / A
Rayures	≤5EA / MM. Longueur cumulative ≤ diamètre	Longueur cumulatif ≤2 * diamètre	N / A
PELLE / PEPES ORANGE / TAPPES / COMMENTS / CRESCHES / CONTAMINATION	Aucun		N / A
Coups de bord / retraits / fracture / plaques hexagonales	Aucun
Zones de polytype	Aucun	Zone cumulative≤20%	Zone cumulative ≤ 30%
Marquage laser avant	Aucun
Qualité du dos
Finition arrière	CMP C-FACE
Rayures	≤5ea / mm, longueur cumulative≤2 * diamètre	N / A
Défauts arrière (puces de bord / retraits)	Aucun
Rugosité du dos	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Marquage laser arrière	1 mm (du bord supérieur)
Bord
Bord	Chanfreiner
Conditionnement
Conditionnement	Préparé en épi avec un emballage sous vide Emballage de cassette multi-wafer
*Remarques: «NA» signifie qu'aucun élément de demande non mentionné ne peut se référer au semi-std.