Le substrat SIC de type N de 8 pouces est un substrat monocristal de carbure de silicium N-de type N avec un diamètre allant de 195 à 205 mm et une épaisseur allant de 300 à 650 microns. Ce substrat a une concentration de dopage élevée et un profil de concentration soigneusement optimisé, offrant d'excellentes performances pour une variété d'applications de semi-conducteurs.
8 Le substrat SIC conducteur de type NCH NCH fournit des performances inégalées pour les dispositifs électroniques de puissance, offrant une excellente conductivité thermique, une tension de dégradation élevée et une excellente qualité pour les applications avancées de semi-conducteur. Semicera fournit des solutions de pointe de l'industrie avec son substrat SIC conducteur de type NCH NCH NCH.
Le substrat SIC conducteur de type NCH NnCH de Semiera est un matériau de pointe conçu pour répondre aux demandes croissantes de l'électronique de puissance et des applications de semi-conducteurs à haute performance. Le substrat combine les avantages du carbure de silicium et de la conductivité de type N pour fournir des performances inégalées dans des appareils qui nécessitent une densité de puissance élevée, une efficacité thermique et une fiabilité.
Le substrat SIC conducteur de type Nnch Nch de Semiera de Semiera est soigneusement conçu pour assurer une qualité et une cohérence supérieures. Il présente une excellente conductivité thermique pour une dissipation de chaleur efficace, ce qui le rend idéal pour les applications de haute puissance telles que les onduleurs de puissance, les diodes et les transistors. De plus, la tension de panne élevée de ce substrat garantit qu'elle peut résister aux conditions exigeantes, fournissant une plate-forme robuste pour l'électronique haute performance.
Semicera reconnaît le rôle essentiel que jouent le substrat conducteur SIC conducteur de type NCH dans la progression de la technologie des semi-conducteurs. Nos substrats sont fabriqués à l'aide de processus de pointe pour garantir une densité minimale des défauts, ce qui est essentiel au développement de dispositifs efficaces. Cette attention aux détails permet des produits qui soutiennent la production d'électronique de nouvelle génération avec des performances et une durabilité plus élevées.
Notre substrat SIC conducteur de type NCH NCH NCH est également conçu pour répondre aux besoins d'un large éventail d'applications de l'automobile aux énergies renouvelables. La conductivité de type N fournit les propriétés électriques nécessaires pour développer des dispositifs d'alimentation efficaces, faisant de ce substrat un composant clé dans la transition vers des technologies plus économes en énergie.
Chez Semicera, nous nous engageons à fournir des substrats qui stimulent l'innovation dans la fabrication de semi-conducteurs. Le substrat SIC conducteur de type NCH NCH NCH est un témoignage de notre dévouement à la qualité et à l'excellence, garantissant que nos clients reçoivent le meilleur matériel possible pour leurs applications.
Paramètres de base
| Taille | 8-inch |
| Diamètre | 200,0 mm + 0 mm / -0,2 mm |
| Orientation de surface | hors axe: 4 ° vers <1120> 0,5 ° |
| Orientation | <1100> 1 ° |
| Angle d'angle | 90°+5°/-1° |
| Profondeur encoche | 1 mm + 0,25 mm / -0 mm |
| Plat secondaire | / |
| Épaisseur | 500,0 25.0UM / 350,0 ± 25,0UM |
| Polytype | 4H |
| Type conducteur | type n |
