CVD Silicon Carbide(SiC) Ring provided by Semicera is an indispensable key component in the complex field of semiconductor manufacturing. It is designed for the etching process and can provide stable and reliable performance for the etching process. This CVD Silicon Carbide(SiC) Ring is made through precision and innovative processes. It is made entirely of chemical vapor deposition silicon carbide (CVD SiC) material and is widely recognized as a representative of excellent performance and enjoys a high reputation in the demanding semiconductor industry. Semicera looks forward to becoming your long-term partner in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Rings offered by Semicera are key components in semiconductor etching, a vital stage in semiconductor device manufacturing. The composition of these CVD Silicon Carbide(SiC) Rings ensures a rugged and durable structure that can withstand the harsh conditions of the etching process. Chemical vapor deposition helps form a high-purity, uniform and dense SiC layer, giving the rings excellent mechanical strength, thermal stability and corrosion resistance.
As a key element in semiconductor manufacturing, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings act as a protective barrier to protect the integrity of semiconductor chips. Its precise design ensures uniform and controlled etching, which helps in the manufacture of highly complex semiconductor devices, providing enhanced performance and reliability.
The use of CVD SiC material in the construction of the rings demonstrates a commitment to quality and performance in semiconductor manufacturing. This material has unique properties, including high thermal conductivity, excellent chemical inertness, and wear and corrosion resistance, making CVD Silicon Carbide(SiC) Rings an indispensable component in the pursuit of precision and efficiency in semiconductor etching processes.
Semicera’s CVD Silicon Carbide (SiC) Ring represents an advanced solution in the field of semiconductor manufacturing, using the unique properties of chemical vapor deposited silicon carbide to achieve reliable and high-performance etching processes, promoting the continuous advancement of semiconductor technology. We are committed to providing customers with excellent products and professional technical support to meet the semiconductor industry’s demand for high-quality and efficient etching solutions.
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Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière chambre. Nos travailleurs travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99.99%, et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99.99995%.
