Semicera provides high-quality Epitaxy Wafer Carriers designed for Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera’s products ensure stability and excellent thermal conductivity for various semiconductor applications such as MOCVD Susceptors and Barrel Susceptors. Our products are widely used in the production process of Monocrystalline Silicon with excellent high temperature resistance and material compatibility.
Epitaxy Wafer Carrier is a critical component in semiconductor production, especially in Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera carefully designs and manufactures Wafer Carriers to withstand extremely high temperatures and chemical environments, ensuring excellent performance in applications such as MOCVD Susceptor and Barrel Susceptor. Whether it is the deposition of monocrystalline silicon or complex epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier provides excellent uniformity and stability.
Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is made of advanced materials with excellent mechanical strength and thermal conductivity, which can effectively reduce losses and instability during the process. In addition, the design of the Wafer Carrier can also adapt to epitaxy equipment of different sizes, thereby improving overall production efficiency.
For customers who require high-precision and high-purity epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is a trustworthy choice. We are always committed to providing customers with excellent product quality and reliable technical support to help improve the reliability and efficiency of production processes.
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Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.98%, and the purity of sic coating is greater than 99.9995%.
