Focus CVD is a special chemical vapor deposition method that uses specific reaction conditions and control parameters to achieve localized focus control of material deposition. In the preparation of focus CVD SiC rings, the focus area refers to the specific part of the ring structure that will receive the main deposition to form the specific shape and size required.
Focus CVD SiC Ring is a silicon carbide (SiC) ring material prepared by Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) technology.
Focus CVD SiC Ring has many excellent performance characteristics. First, it has high hardness, high melting point and excellent high temperature resistance, and can maintain stability and structural integrity under extreme temperature conditions. Secondly, Focus CVD SiC Ring has excellent chemical stability and corrosion resistance, and has high resistance to corrosive media such as acids and alkalis. In addition, it also has excellent thermal conductivity and mechanical strength, which is suitable for application requirements in high temperature, high pressure and corrosive environments.
Focus CVD SiC Ring is widely used in many fields. It is often used for thermal isolation and protection materials of high temperature equipment, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors. In addition, Focus CVD SiC Ring can also be used in optoelectronics, semiconductor manufacturing, precision machinery and aerospace, providing high-performance environmental tolerance and reliability.
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Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière chambre. Nos travailleurs travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99.99%, et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99.99995%.
