Semiconductor Silicon based GaN epitaxy

Semicera Energy Technology Co., Ltd. is a leading supplier of advanced semiconductor ceramics and the only manufacturer in China that can simultaneously provide high-purity silicon carbide ceramic(especially the Recrystallized SiC) and CVD SiC coating. In addition, our company is also committed to ceramic fields such as alumina, aluminum nitride, zirconia, and silicon nitride, etc.

Silicon-based GaN epitaxy

Product Description

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

Caractéristiques principales:

1. Résistance à l'oxydation à haute température:

La résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température est aussi élevée que 1600 C.

2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.

3. Résistance à l'érosion: dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion: réactifs acide, alcalin, sel et organique.

Spécifications principales du revêtement CVD-SIC

Propriétés SIC-CVD

Structure cristalline

Phase FCC β

Densité

g / cm ³

3.21

Dureté

Vickers dureté

2500

Taille des grains

MM

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J · kg-1 · k-1

640

Température de sublimation

2700

Résistance aux félexes

MPA (RT 4 points)

415

Module de jeunes

GPA (4pt Bend, 1300 ℃)

430

Expansion thermique (CTE)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W / mk)

300

Lieu de travail Semiera

Semirara Lieu de travail 2

Machine de matériel

Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD

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