Solid CVD SiC Rings are mainly composed of silicon carbide (SiC), and have excellent physical and chemical properties. Silicon carbide is a ceramic material with a high melting point, high hardness and excellent corrosion resistance. It exhibits excellent thermal conductivity, chemical stability and mechanical strength at high temperatures, and has excellent wear and abrasion resistance.
Solid CVD SiC rings are widely used in industrial and scientific fields in high temperature, corrosive and abrasive environments. It plays an important role in multiple application areas, including:
1. Semiconductor manufacturing: Solid CVD SiC rings can be used for heating and cooling of semiconductor equipment, providing stable temperature control to ensure the accuracy and consistency of the process.
2. Optoelectronics: Due to its excellent thermal conductivity and high temperature resistance, Solid CVD SiC rings can be used as support and heat dissipation materials for lasers, fiber optic communication equipment and optical components.
3. Precision machinery: Solid CVD SiC rings can be used for precision instruments and equipment in high temperature and corrosive environments, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors.
4. Chemical industry: Solid CVD SiC rings can be used in containers, pipes and reactors in chemical reactions and catalytic processes due to their corrosion resistance and chemical stability.
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Suscepteur de croissance épitaxie
Les plaquettes en carbure de silicium / silicium doivent passer par plusieurs processus à utiliser dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxy au silicium / sic, dans lequel les plaquettes en silicium / sic sont transportées sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite enrobé de carbure de Silicon de Seminera comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une résistance chimique élevée et une stabilité thermique.
Production de puces LED
Pendant le revêtement étendu du réacteur MOCVD, la base planétaire ou le transporteur déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, ce qui à son tour affecte le taux de rebut de la puce. La base à revêtement en carbure de Silicon de Seminera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise la déviation de la longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5 m, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.
Champ semi-conducteur, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus de semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit et, chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la suspension de carbure de silicium en silicium0-niveau sans poussière chambre. Nos travailleurs travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99.99%, et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99.99995%.
