The TaC Coated Epi Wafer Carrier by Semicera is engineered for superior performance in epitaxial processes. Its tantalum carbide coating offers exceptional durability and high-temperature stability, ensuring optimal wafer support and enhanced production efficiency. Semicera’s precision manufacturing guarantees consistent quality and reliability in semiconductor applications.
TaC coated epitaxial wafer carriers are usually used in the preparation of high-performance optoelectronic devices, power devices, sensors and other fields. This epitaxial wafer carrier refers to the deposition of TaC thin film on the substrate during the crystal growth process to form a wafer with specific structure and performance for subsequent device preparation.
Chemical vapor deposition (CVD) technology is usually used to prepare TaC coated epitaxial wafer carriers. By reacting metal organic precursors and carbon source gases at high temperature, a TaC film can be deposited on the surface of the crystal substrate. This film can have excellent electrical, optical and mechanical properties and is suitable for the preparation of various high-performance devices.
Semicera propose des revêtements de carbure de tantale (TAC) spécialisés pour divers composants et transporteurs. Le processus de revêtement des semirera permet des revêtements de carbure de tantale (TAC) pour obtenir une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant la qualité du produit des cristaux SIC / GaN et des couches EPI (Suscepteur TAC revêtu de graphite), et prolonger la durée de vie des composants du réacteur clé. L'utilisation du revêtement en carbure de carbure de tantale consiste à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance des cristaux, et Semicera a permis de résoudre la technologie du revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
De plus, les semirera Produits enrobés de TAC présenter une durée de vie plus longue et une plus grande résistance à haute température par rapport à Revêtements sic. Des mesures de laboratoire ont démontré que notre Revêtements de tac Peut régulièrement effectuer à des températures allant jusqu'à 2300 degrés Celsius pendant de longues périodes. Voici quelques exemples de nos échantillons:
