{"id":1410,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/silicon-on-insulator-wafer\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:50","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:50","slug":"silicon-on-insulator-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/product\/silicon-on-insulator-wafer\/","title":{"rendered":"Silicon sur la plaquette d'isolateur"},"content":{"rendered":"
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La tranche de silicium sur l'isolateur (SOI) de Semiera est \u00e0 la pointe de l'innovation semi-conductrice, offrant une isolation \u00e9lectrique am\u00e9lior\u00e9e et des performances thermiques sup\u00e9rieures. La structure SOI, compos\u00e9e d'une fine couche de silicium sur un substrat isolant, offre des avantages critiques pour les dispositifs \u00e9lectroniques haute performance.<\/p>\n

Nos plates-formes SOI sont con\u00e7ues pour minimiser les courants parasitaires de capacit\u00e9 et de fuite, ce qui est essentiel pour d\u00e9velopper des circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 grande vitesse et \u00e0 faible puissance. Cette technologie avanc\u00e9e garantit que les appareils fonctionnent plus efficacement, avec une vitesse am\u00e9lior\u00e9e et une consommation d'\u00e9nergie r\u00e9duite, cruciale pour l'\u00e9lectronique moderne.<\/p>\n

Les processus de fabrication avanc\u00e9s employ\u00e9s par Semicera garantissent la production de plaquettes SOI avec une excellente uniformit\u00e9 et coh\u00e9rence. Cette qualit\u00e9 est vitale pour les applications dans les t\u00e9l\u00e9communications, l'automobile et l'\u00e9lectronique grand public, o\u00f9 des composants fiables et tr\u00e8s performants sont n\u00e9cessaires.<\/p>\n

En plus de leurs avantages \u00e9lectriques, les plaquettes SOI de Semicera offrent une isolation thermique sup\u00e9rieure, am\u00e9liorant la dissipation de la chaleur et la stabilit\u00e9 dans les dispositifs \u00e0 haute densit\u00e9 et \u00e0 haute puissance. Cette fonctionnalit\u00e9 est particuli\u00e8rement pr\u00e9cieuse dans les applications qui impliquent une g\u00e9n\u00e9ration de chaleur importante et n\u00e9cessitent une gestion thermique efficace.<\/p>\n

En choisissant le silicium de Semicera sur Isolateur, vous investissez dans un produit qui soutient l'avancement des technologies de pointe. Notre engagement envers la qualit\u00e9 et l'innovation garantit que nos plaquettes SOI r\u00e9pondent aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs d'aujourd'hui, fournissant la base des appareils \u00e9lectroniques de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Articles<\/p>\n<\/td>\n

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Production<\/p>\n<\/td>\n

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Recherche<\/p>\n<\/td>\n

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Factice<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Param\u00e8tres de cristal<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Polytype<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Erreur d'orientation de la surface<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Param\u00e8tres \u00e9lectriques<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Dopant<\/p>\n<\/td>\n

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azote de type N<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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R\u00e9sistivit\u00e9<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0.025ohm \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Param\u00e8tres m\u00e9caniques<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Diam\u00e8tre<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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\u00c9paisseur<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orientation plate primaire<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Longueur plate primaire<\/p>\n<\/td>\n

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47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Plat secondaire<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aucun<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TTV<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643 \u03bcm (5 mm * 5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm * 5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm * 5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Arc<\/p>\n<\/td>\n

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-15 \u03bcm ~ 15\u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Cha\u00eene<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

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\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rugosit\u00e9 avant (si-face) (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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Ra\u22640,2 nm (5 \u03bcm * 5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Structure<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Densit\u00e9 de micro-<\/p>\n<\/td>\n

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<1 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Impuret\u00e9s m\u00e9talliques<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPB<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 ea \/ cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Qualit\u00e9 avant<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Devant<\/p>\n<\/td>\n

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Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Finition de surface<\/p>\n<\/td>\n

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CMP SI-FACE<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Particules<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea \/ plaquette (taille 0,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rayures<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645EA \/ MM. Longueur cumulative \u2264 diam\u00e8tre<\/p>\n<\/td>\n

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Longueur cumulatif \u22642 * diam\u00e8tre<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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PELLE \/ PEPES ORANGE \/ TAPPES \/ COMMENTS \/ CRESCHES \/ CONTAMINATION<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aucun<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Coups de bord \/ retraits \/ fracture \/ plaques hexagonales<\/p>\n<\/td>\n

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Aucun<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Zones de polytype<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aucun<\/p>\n<\/td>\n

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Zone cumulative\u226420%<\/p>\n<\/td>\n

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Zone cumulative \u2264 30%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Marquage laser avant<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aucun<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Qualit\u00e9 du dos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Finition arri\u00e8re<\/p>\n<\/td>\n

\n

CMP C-FACE<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rayures<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea \/ mm, longueur cumulative\u22642 * diam\u00e8tre<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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D\u00e9fauts arri\u00e8re (puces de bord \/ retraits)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aucun<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rugosit\u00e9 du dos<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ra\u22640,2 nm (5 \u03bcm * 5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Marquage laser arri\u00e8re<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (du bord sup\u00e9rieur)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bord<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bord<\/p>\n<\/td>\n

\n

Chanfreiner<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Conditionnement<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Conditionnement<\/p>\n<\/td>\n

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Pr\u00e9par\u00e9 en \u00e9pi avec un emballage sous vide<\/p>\n

Emballage de cassette multi-wafer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Remarques: \u00abNA\u00bb signifie qu'aucun \u00e9l\u00e9ment de demande non mentionn\u00e9 ne peut se r\u00e9f\u00e9rer au semi-std.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\n
\"Wafers <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

La tranche de silicium sur l'isolant (SOI) de Semiera fournit une isolation \u00e9lectrique exceptionnelle et une gestion thermique pour les applications haute performance. Organis\u00e9s pour offrir une efficacit\u00e9 et une fiabilit\u00e9 de dispositif sup\u00e9rieur, ces plaquettes sont un choix primordial pour la technologie avanc\u00e9e des semi-conducteurs. Choisissez Semicera pour des solutions SOI de pointe de pointe.<\/p>","protected":false},"featured_media":876,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[35,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1410","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-sic-substrate","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1410","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1410"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/876"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1410"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1410"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1410"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1410"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}