Wafer di silicio su isolanti

I wafer di silicio su isolatore di Semicira forniscono soluzioni ad alte prestazioni per applicazioni a semiconduttore avanzate. Idealmente adatti a MEMS, sensori e microelettronica, questi wafer forniscono un eccellente isolamento elettrico e una bassa capacità parassita. Semicera garantisce la produzione di precisione, offrendo una qualità costante per una gamma di tecnologie innovative. Non vediamo l'ora di essere il tuo partner a lungo termine in Cina.

Wafer di silicio su isolanti Da Selicera sono progettati per soddisfare la crescente domanda di soluzioni a semiconduttore ad alte prestazioni. I nostri wafer SOI offrono prestazioni elettriche superiori e una ridotta capacità dei dispositivi parassiti, rendendoli ideali per applicazioni avanzate come dispositivi MEMS, sensori e circuiti integrati. L'esperienza di Semicera nella produzione di wafer garantisce che ciascuno SOI Wafer Fornisce risultati affidabili e di alta qualità per le esigenze tecnologiche di prossima generazione.

Nostro Wafer di silicio su isolanti Offri un equilibrio ottimale tra efficacia in termini di costi e prestazioni. Con il costo del wafer SOI che diventa sempre più competitivo, questi wafer sono ampiamente utilizzati in una serie di settori, tra cui microelettronica e optoelettronica. Il processo di produzione ad alta precisione di Semicira garantisce un legame e uniformità del wafer superiori, rendendoli adatti a una varietà di applicazioni, dai wafer di cavità a SOI ai wafer di silicio standard.

Caratteristiche chiave:

       •  Wafer SOI di alta qualità ottimizzati per le prestazioni in MEMS e altre applicazioni.

       •  Costo competitivo del wafer SOI per le aziende in cerca di soluzioni avanzate senza compromettere la qualità.

       •  Ideale per le tecnologie all'avanguardia, offrendo un migliore isolamento elettrico ed efficienza nel silicio sui sistemi di isolanti.

Nostro Wafer di silicio su isolanti sono progettati per fornire soluzioni ad alte prestazioni, supportando la prossima ondata di innovazione nella tecnologia dei semiconduttori. Sia che tu stia lavorando sulla cavità Wafer soi, Dispositivi MEMS o silicio sui componenti isolanti, Semicera offre wafer che soddisfano i più alti standard del settore.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri cristallini

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

4±0.15°

Parametri elettrici

Drogante

azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm · cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0 ± 0,2 mm

Spessore

350 ± 25 µm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piatto secondario

Nessuno

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35 μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Front (Si-Face) Rughess (AFM)

RA≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità di micrivipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurità dei metalli

≤5E10atoms/cm2

N / A

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

N / A

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

N / A

Qualità anteriore

Davanti

Si

Finitura superficiale

Si-Face CMP

Particelle

≤60ea/wafer (dimensione≥0,3μm)

N / A

Graffi

≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diameter

Diametro cumulativo della lunghezza ≤2*

N / A

Buccia/pozzi/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

N / A

Bordo chips/riendi/frattura/piastre esadecimale

Nessuno

Aree politepi

Nessuno

Area cumulativa≤20%

Area cumulativa≤30%

Marcatura laser anteriore

Nessuno

Qualità alla schiena

Finitura posteriore

C-FACE CMP

Graffi

≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*diametro

N / A

Difetti posteriori (bordo chip/rientri)

Nessuno

Rugosità posteriore

RA≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Prepasto EPI con imballaggio a vuoto

Packaging a cassette multi-wafer

*Note : “NA” significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata può fare riferimento a semi-std.

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