850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer

850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer– Discover the next generation of semiconductor technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, designed for superior performance and efficiency in high-voltage applications.

Semicera introduces the 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, a breakthrough in semiconductor innovation. This advanced epi wafer combines the high efficiency of Gallium Nitride (GaN) with the cost-effectiveness of Silicon (Si), creating a powerful solution for high-voltage applications.

Caratteristiche chiave:

• High Voltage Handling: Engineered to support up to 850V, this GaN-on-Si Epi Wafer is ideal for demanding power electronics, enabling higher efficiency and performance.

• Enhanced Power Density: With superior electron mobility and thermal conductivity, GaN technology allows for compact designs and increased power density.

• Cost-Effective Solution: By leveraging silicon as the substrate, this epi wafer offers a cost-effective alternative to traditional GaN wafers, without compromising on quality or performance.

• Wide Application Range: Perfect for use in power converters, RF amplifiers, and other high-power electronic devices, ensuring reliability and durability.

Explore the future of high-voltage technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer. Designed for cutting-edge applications, this product ensures your electronic devices operate with maximum efficiency and reliability. Choose Semicera for your next-generation semiconductor needs.

Elementi	Produzione	Ricerca	Manichino
Parametri cristallini
Politipo	4H
Errore di orientamento della superficie	4±0.15°
Parametri elettrici
Drogante	azoto di tipo n
Resistività	0,015-0,025ohm · cm
Parametri meccanici
Diametro	150,0 ± 0,2 mm
Spessore	350 ± 25 µm
Orientamento piatto primario	[1-100]±5°
Lunghezza piatta primaria	47,5 ± 1,5 mm
Piatto secondario	Nessuno
TTV	≤5 µm	≤10 µm	≤15 µm
LTV	≤3 μm (5mm*5mm)	≤5 μm (5 mm*5 mm)	≤10 μm (5 mm*5 mm)
Arco	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35 μm	-45μm ~ 45μm
Ordito	≤35 µm	≤45 µm	≤55 µm
Front (Si-Face) Rughess (AFM)	RA≤0,2 nm (5μm*5μm)
Struttura
Densità di micrivipe	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Impurità dei metalli	≤5E10atoms/cm2		N / A
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	N / A
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	N / A
Qualità anteriore
Davanti	Si
Finitura superficiale	Si-Face CMP
Particelle	≤60ea/wafer (dimensione≥0,3μm)	N / A
Graffi	≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diameter	Diametro cumulativo della lunghezza ≤2*	N / A
Buccia/pozzi/macchie/striature/crepe/contaminazione	Nessuno		N / A
Bordo chips/riendi/frattura/piastre esadecimale	Nessuno
Aree politepi	Nessuno	Area cumulativa≤20%	Area cumulativa≤30%
Marcatura laser anteriore	Nessuno
Qualità alla schiena
Finitura posteriore	C-FACE CMP
Graffi	≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*diametro	N / A
Difetti posteriori (bordo chip/rientri)	Nessuno
Rugosità posteriore	RA≤0,2 nm (5μm*5μm)
Marcatura laser sul retro	1 mm (dal bordo superiore)
Bordo
Bordo	Smussare
Confezione
Confezione	Prepasto EPI con imballaggio a vuoto Packaging a cassette multi-wafer
*Note ： “NA” significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata può fare riferimento a semi-std.