With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’sCVD Tantalum Carbide Coated Upper Halfmoonto explore more about our advanced solutions.
Semicera offre rivestimenti specializzati in carburo di tantalum (TAC) per vari componenti e vettori. Il processo di rivestimento leader di semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalum (TAC) per ottenere elevata purezza, stabilità ad alta temperatura e elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e gli strati EPI (EPI (Suscettore TAC rivestito in grafite) e estendendo la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TAC in carburo di TantaLum è quello di risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli e Semicera ha una svolta risolta la tecnologia del rivestimento in carburo di TantaLum (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.
With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’s CVD Tantalum Carbide Coated Upper Halfmoon to explore more about our advanced solutions.
Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia di CVD TAC con gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. I difetti sono facili da verificarsi nel processo di crescita dei wafer SIC, ma dopo aver utilizzato Tac, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Inoltre, Semicera's Prodotti con rivestimento TAC presentare una durata di servizio più lunga e una maggiore resistenza ad alta temperatura rispetto a Rivestimenti sic. Le misurazioni di laboratorio hanno dimostrato che il nostro Rivestimenti TAC può funzionare costantemente a temperature fino a 2300 gradi Celsius per lunghi periodi. Di seguito sono riportati alcuni esempi dei nostri campioni:
