Il suscettore del wafer di grafite di mafite di semicera è una soluzione premium per i processi MOCVD (deposizione di vapore chimico metallo-organico), progettati per fornire una stabilità termica eccezionale, resistenza alla corrosione e longevità. Realizzato in carburo di silicio di alta purezza (SIC) e grafite avanzata, questo suscettore garantisce una distribuzione uniforme del calore e prestazioni affidabili in ambienti estremi, consentendo una crescita epitassiale impeccabile di materiali semiconduttori come GAN, SIC e LED.
Applicazioni del prodotto
Produzione di semiconduttori
Ideale per la deposizione epitassiale di semiconduttori composti GAN, SIC e III-V.
Critico per la produzione di LED ad alte prestazioni, dispositivi RF ed elettronica di alimentazione.
Ricerca e sviluppo
Affidata dei laboratori per studi sui materiali avanzati e prototipi di semiconduttori di prossima generazione.
Sistemi MOCVD industriali
Compatibile con le principali apparecchiature MOCVD per la produzione di massa di componenti optoelettronici.
Durata senza pari
Il rivestimento SIC migliora la resistenza a shock termico, corrosione chimica e usura meccanica, estendendo la durata di servizio di 3x rispetto ai tradizionali suscettori di grafite.
Uniformità termica superiore
Ingegnerizzato per l'uniformità della temperatura di ± 1,5% attraverso la superficie del wafer, minimizzando i difetti negli strati depositati.
Stabilità ad alta temperatura
Funziona perfettamente a temperature fino a 1.800 ° C, mantenendo l'integrità strutturale in ambienti MOCVD aggressivi.
Efficienza dei costi
Riduce i tempi di inattività e i costi di sostituzione grazie alla durata prolungata e alle prestazioni coerenti.
Composizione del materiale premium
Combina la grafite isostatica ad alta purezza con un rivestimento SIC denso e privo di difetti per una resistenza termica e chimica ottimale.
Design personalizzabili
Disponibile in geometrie su misura (ad es. Pancake, verticale, orizzontale) per adattarsi a diverse configurazioni di reattori.
Ingegneria di precisione
La finitura superficiale ultra liscia (<0,5 µm di RA) garantisce una contaminazione minima delle particelle durante la deposizione.
Risposta termica rapida
La bassa progettazione di massa termica accelera i cicli di riscaldamento/raffreddamento, aumentando l'efficienza del processo.
Competenza del settore: Supportato da oltre 15 anni di esperienza in soluzioni ceramiche avanzate per applicazioni a semiconduttore.
Garanzia di qualità: Test rigorosi nell'ambito dei protocolli certificati ISO garantiscono la coerenza delle prestazioni.
Supporto globale: Team tecnico dedicato disponibile per soluzioni personalizzate e consegna rapida.
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