36 pezzi di parti di attrezzatura MOCVD a base di grafite da 4 pollici

● Product introduction and use: Placing 36 pieces of 4 inch substrate, used for the growth of blue-green epitaxial films in LED production
● Device location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the wafer
● Main downstream products: LED chips
● Main end market: LED

Descrizione

 

 

 

 

 

La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SIC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscono ad alta temperatura per ottenere molecole SiC ad alta purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato di protezione SIC.

 

 

 

 

 

 

Base di grafite-36

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Caratteristiche principali

 

 

 

 

 

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
La resistenza all'ossidazione è ancora molto buona quando la temperatura è alta fino al 1600 C.
2. Purità elevata: realizzata mediante deposizione di vapore chimico in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: alta durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acido, alcali, sale e reagenti organici.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

 

 

 

 

 

Proprietà SIC-CVD
Struttura cristallina FCC β phase
Densità g/cm ³ 3.21
Durezza Vickers Durezza 2500
Dimensione del grano μm 2~10
Purezza chimica % 99.99995
Capacità termica J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura di sublimazione 2700
Forza felexurale MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Espansione termica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conducibilità termica (W/MK) 300

 

 

 

 

 

 

 

 

Luogo di lavoro semicera

 

 

 

Semicera lavoro posto 2

 

 

 

Macchina per attrezzature

 

 

 

Elaborazione della CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD

 

 

 

Semicera ware house

 

 

 

Il nostro servizio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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