Product introduction and use: Place 19 pieces of 2 time substrate for the growth of deep ultraviolet LED epitaxial filmDevice location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the waferMain downstream products :LED chipsMain end market: LED
Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SiC protective layer.
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
La resistenza all'ossidazione è ancora molto buona quando la temperatura è alta fino al 1600 C.
2. Purità elevata: realizzata mediante deposizione di vapore chimico in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: alta durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acido, alcali, sale e reagenti organici.
| Proprietà SIC-CVD | ||
| Struttura cristallina | Fase β FCC | |
| Densità | g/cm ³ | 3.21 |
| Durezza | Vickers Durezza | 2500 |
| Dimensione del grano | µm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J · kg-1 · k-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza felexurale | MPA (RT 4-point) | 415 |
| Modulo di Young | GPA (4pt Bend, 1300 ℃) | 430 |
| Espansione termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conducibilità termica | (W/MK) | 300 |
