Porous tantalum carbide is mainly used for gas phase component filtration, adjusting local temperature gradient, guiding material flow direction, controlling leakage, etc. It can be used with another solid tantalum carbide (compact) or tantalum carbide coating from Semicera Technology to form local components with different flow conductance.
Semicera offre rivestimenti specializzati in carburo di tantalum (TAC) per vari componenti e vettori. Il processo di rivestimento leader di semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalum (TAC) per ottenere elevata purezza, stabilità ad alta temperatura e elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e gli strati EPI (EPI (Suscettore TAC rivestito in grafite), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.
Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia di CVD TAC con gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. I difetti sono facili da verificarsi nel processo di crescita dei wafer SIC, ma dopo aver utilizzato Tac, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth
Inoltre, la durata della durata dei prodotti TAC di semicera è più lunga e più resistente alle alte temperature di quella del rivestimento SIC. Dopo un lungo periodo di dati di misurazione di laboratorio, il nostro TAC può funzionare a lungo al massimo di 2300 gradi Celsius. Di seguito sono riportati alcuni dei nostri campioni:
