High purity tantalum carbide product customization

TaC coating is a new generation of high temperature resistant material, with better high temperature stability than SiC, as a corrosion resistant coating, oxidation resistant coating, wear resistant coating, can be used in the environment above 2000℃, widely used in aerospace ultra-high temperature hot end parts, the third generation of semiconductor single crystal growth and other fields.

Semicera offre rivestimenti specializzati in carburo di tantalum (TAC) per vari componenti e vettori. Semicera Semicera leading coating process enables tantalum carbide (TaC) coatings to achieve high purity, high temperature stability and high chemical tolerance, improving product quality of SIC/GAN crystals and EPI layers (Suscettore TAC rivestito in grafite) e estendendo la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TAC in carburo di TantaLum è quello di risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli e Semicera ha una svolta risolta la tecnologia del rivestimento in carburo di TantaLum (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.

 

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia di CVD TAC con gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. I difetti sono facili da verificarsi nel processo di crescita dei wafer SIC, ma dopo aver utilizzato Tac, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth 

b917b6b4-7572-47fe-9074-24d33288257c

WeChat Picture_20240227150045

con e senza tac

WeChat Picture_20240227150053

Dopo aver usato TAC (a destra)

Inoltre, la durata della durata dei prodotti TAC di semicera è più lunga e più resistente alle alte temperature di quella del rivestimento SIC. Dopo un lungo periodo di dati di misurazione di laboratorio, il nostro TAC può funzionare a lungo al massimo di 2300 gradi Celsius. Di seguito sono riportati alcuni dei nostri campioni:

WeChat Screenshot_20240227145010

(a) Diagramma schematico del dispositivo di crescita del lingotto a cristallo singolo SIC mediante metodo PVT (B) staffa di semi rivestito TAC superiore (incluso seme SIC) (C) Anello guida a grafite con rivestimento TAC

Zdfvzcfv

Caratteristica principale

Luogo di lavoro semicera

Semicera lavoro posto 2

Macchina per attrezzature

Elaborazione della CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD

Il nostro servizio

Newletter

In attesa del tuo contatto con noi