Rivestimento in carburo di tantalum di alta qualità (TAC)

Semicera’s TaC coating offers exceptional high-temperature stability, surpassing SiC, withstanding up to 2300℃. Ideal for aerospace and third-generation semiconductor single crystal growth, it provides corrosion, oxidation, and wear resistance. Choose Semicera for top-tier factory manufacturing and quality.

Semicera offre rivestimenti specializzati in carburo di tantalum (TAC) per vari componenti e vettori. Semicera leading coating process enables tantalum carbide (TaC) coatings to achieve high purity, high temperature stability and high chemical tolerance, improving product quality of SIC/GAN crystals and EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.

 

After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth 

 

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TaC coated part for growth single crystal

Antiwear Tantalum Carbide rivestimento_ Protegge l'attrezzatura dall'usura e dalla corrosione Immagine in primo piano

TaC coated graphite ring

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con e senza tac

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Dopo aver usato TAC (a destra)

Inoltre, la durata della durata dei prodotti TAC di semicera è più lunga e più resistente alle alte temperature di quella del rivestimento SIC. Dopo un lungo periodo di dati di misurazione di laboratorio, il nostro TAC può funzionare a lungo al massimo di 2300 gradi Celsius. Di seguito sono riportati alcuni dei nostri campioni:

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Suscettore rivestito TAC

Innovative Tantalum Carbide Coating Technology_ Material durezza e resistenza ad alta temperatura

Graphite with TaC coated carrier

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(a) Diagramma schematico del dispositivo di crescita del lingotto a cristallo singolo SIC mediante metodo PVT (B) staffa di semi rivestito TAC superiore (incluso seme SIC) (C) Anello guida a grafite con rivestimento TAC

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Caratteristica principale

Luogo di lavoro semicera

Semicera lavoro posto 2

Macchina per attrezzature

Elaborazione della CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD

Il nostro servizio

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