Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm

Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm - eleva le prestazioni dei dispositivi elettronici e optoelettronici con substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm di semicera, progettato per una conducibilità termica eccezionale e un elevato isolamento elettrico.

Semicera è orgoglioso di presentare il Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm, un materiale di alto livello progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni elettroniche e optoelettroniche. I substrati di nitruro di alluminio (ALN) sono rinomati per la loro eccezionale conducibilità termica e le proprietà di isolamento elettrico, rendendoli una scelta ideale per dispositivi ad alte prestazioni.

Caratteristiche chiave:

• Eccezionale conducibilità termica: IL Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm vanta una conduttività termica fino a 170 W/mk, significativamente più alta rispetto ad altri materiali del substrato, garantendo un'efficace dissipazione del calore nelle applicazioni ad alta potenza.

• Alto isolamento elettrico: Con eccellenti proprietà isolanti elettriche, questo substrato riduce al minimo le interferenze di talk e del segnale, rendendolo ideale per le applicazioni RF e a microonde.

• Resistenza meccanica: IL Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm Offre una resistenza e una stabilità meccaniche superiori, garantendo la durata e l'affidabilità anche in condizioni operative rigorose.

• Applicazioni versatili: Questo substrato è perfetto per l'uso in LED ad alta potenza, diodi laser e componenti RF, fornendo una base robusta e affidabile per i tuoi progetti più esigenti.

• Fabbricazione di precisione: Semicera garantisce che ogni substrato di wafer sia fabbricato con la massima precisione, offrendo uno spessore uniforme e la qualità della superficie per soddisfare gli standard esigenti dei dispositivi elettronici avanzati.

Massimizza l'efficienza e l'affidabilità dei tuoi dispositivi con Semicera Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm. I nostri substrati sono progettati per offrire prestazioni superiori, garantendo che i tuoi sistemi elettronici e optoelettronici funzionino al meglio. Trust Semicera per materiali all'avanguardia che guidano l'industria in termini di qualità e innovazione.

Elementi	Produzione	Ricerca	Manichino
Parametri cristallini
Politipo	4H
Errore di orientamento della superficie	4±0.15°
Parametri elettrici
Drogante	azoto di tipo n
Resistività	0,015-0,025ohm · cm
Parametri meccanici
Diametro	150,0 ± 0,2 mm
Spessore	350 ± 25 µm
Orientamento piatto primario	[1-100]±5°
Lunghezza piatta primaria	47,5 ± 1,5 mm
Piatto secondario	Nessuno
TTV	≤5 µm	≤10 µm	≤15 µm
LTV	≤3 μm (5mm*5mm)	≤5 μm (5 mm*5 mm)	≤10 μm (5 mm*5 mm)
Arco	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35 μm	-45μm ~ 45μm
Ordito	≤35 µm	≤45 µm	≤55 µm
Front (Si-Face) Rughess (AFM)	RA≤0,2 nm (5μm*5μm)
Struttura
Densità di micrivipe	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Impurità dei metalli	≤5E10atoms/cm2		N / A
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	N / A
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	N / A
Qualità anteriore
Davanti	Si
Finitura superficiale	Si-Face CMP
Particelle	≤60ea/wafer (dimensione≥0,3μm)	N / A
Graffi	≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diameter	Diametro cumulativo della lunghezza ≤2*	N / A
Buccia/pozzi/macchie/striature/crepe/contaminazione	Nessuno		N / A
Bordo chips/riendi/frattura/piastre esadecimale	Nessuno
Aree politepi	Nessuno	Area cumulativa≤20%	Area cumulativa≤30%
Marcatura laser anteriore	Nessuno
Qualità alla schiena
Finitura posteriore	C-FACE CMP
Graffi	≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*diametro	N / A
Difetti posteriori (bordo chip/rientri)	Nessuno
Rugosità posteriore	RA≤0,2 nm (5μm*5μm)
Marcatura laser sul retro	1 mm (dal bordo superiore)
Bordo
Bordo	Smussare
Confezione
Confezione	Prepasto EPI con imballaggio a vuoto Packaging a cassette multi-wafer
*Note ： “NA” significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata può fare riferimento a semi-std.