850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer– Discover the next generation of semiconductor technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, designed for superior performance and efficiency in high-voltage applications.
Semicera introduces the 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, a breakthrough in semiconductor innovation. This advanced epi wafer combines the high efficiency of Gallium Nitride (GaN) with the cost-effectiveness of Silicon (Si), creating a powerful solution for high-voltage applications.
Caratteristiche chiave:
• High Voltage Handling: Engineered to support up to 850V, this GaN-on-Si Epi Wafer is ideal for demanding power electronics, enabling higher efficiency and performance.
• Enhanced Power Density: With superior electron mobility and thermal conductivity, GaN technology allows for compact designs and increased power density.
• Cost-Effective Solution: By leveraging silicon as the substrate, this epi wafer offers a cost-effective alternative to traditional GaN wafers, without compromising on quality or performance.
• Wide Application Range: Perfect for use in power converters, RF amplifiers, and other high-power electronic devices, ensuring reliability and durability.
Explore the future of high-voltage technology with Semicera’s 850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer. Designed for cutting-edge applications, this product ensures your electronic devices operate with maximum efficiency and reliability. Choose Semicera for your next-generation semiconductor needs.
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Elementi |
Produzione |
Ricerca |
Manichino |
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Parametri cristallini |
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Politipo |
4H |
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Errore di orientamento della superficie |
4±0.15° |
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Parametri elettrici |
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Drogante |
azoto di tipo n |
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Resistività |
0,015-0,025ohm · cm |
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Parametri meccanici |
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Diametro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Spessore |
350 ± 25 µm |
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Orientamento piatto primario |
[1-100]±5° |
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Lunghezza piatta primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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Piatto secondario |
Nessuno |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm (5mm*5mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35 μm |
-45μm ~ 45μm |
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Ordito |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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Front (Si-Face) Rughess (AFM) |
RA≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Struttura |
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Densità di micrivipe |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurità dei metalli |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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BPD |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / A |
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Qualità anteriore |
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Davanti |
Si |
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Finitura superficiale |
Si-Face CMP |
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Particelle |
≤60ea/wafer (dimensione≥0,3μm) |
N / A |
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Graffi |
≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diameter |
Diametro cumulativo della lunghezza ≤2* |
N / A |
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Buccia/pozzi/macchie/striature/crepe/contaminazione |
Nessuno |
N / A |
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Bordo chips/riendi/frattura/piastre esadecimale |
Nessuno |
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Aree politepi |
Nessuno |
Area cumulativa≤20% |
Area cumulativa≤30% |
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Marcatura laser anteriore |
Nessuno |
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Qualità alla schiena |
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Finitura posteriore |
C-FACE CMP |
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Graffi |
≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*diametro |
N / A |
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Difetti posteriori (bordo chip/rientri) |
Nessuno |
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Rugosità posteriore |
RA≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Marcatura laser sul retro |
1 mm (dal bordo superiore) |
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Bordo |
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Bordo |
Smussare |
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Confezione |
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Confezione |
Prepasto EPI con imballaggio a vuoto Packaging a cassette multi-wafer |
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*Note ： “NA” significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata può fare riferimento a semi-std. |
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