CVD Silicon Carbide(SiC) Ring provided by Semicera is an indispensable key component in the complex field of semiconductor manufacturing. It is designed for the etching process and can provide stable and reliable performance for the etching process. This CVD Silicon Carbide(SiC) Ring is made through precision and innovative processes. It is made entirely of chemical vapor deposition silicon carbide (CVD SiC) material and is widely recognized as a representative of excellent performance and enjoys a high reputation in the demanding semiconductor industry. Semicera looks forward to becoming your long-term partner in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Rings offered by Semicera are key components in semiconductor etching, a vital stage in semiconductor device manufacturing. The composition of these CVD Silicon Carbide(SiC) Rings ensures a rugged and durable structure that can withstand the harsh conditions of the etching process. Chemical vapor deposition helps form a high-purity, uniform and dense SiC layer, giving the rings excellent mechanical strength, thermal stability and corrosion resistance.
As a key element in semiconductor manufacturing, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings act as a protective barrier to protect the integrity of semiconductor chips. Its precise design ensures uniform and controlled etching, which helps in the manufacture of highly complex semiconductor devices, providing enhanced performance and reliability.
The use of CVD SiC material in the construction of the rings demonstrates a commitment to quality and performance in semiconductor manufacturing. This material has unique properties, including high thermal conductivity, excellent chemical inertness, and wear and corrosion resistance, making CVD Silicon Carbide(SiC) Rings an indispensable component in the pursuit of precision and efficiency in semiconductor etching processes.
Semicera’s CVD Silicon Carbide (SiC) Ring represents an advanced solution in the field of semiconductor manufacturing, using the unique properties of chemical vapor deposited silicon carbide to achieve reliable and high-performance etching processes, promoting the continuous advancement of semiconductor technology. We are committed to providing customers with excellent products and professional technical support to meet the semiconductor industry’s demand for high-quality and efficient etching solutions.
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Suscitatore di crescita dell'epitassia
I wafer in carburo di silicio/silicio devono passare attraverso più processi per essere utilizzati nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia di silicio/sic, in cui i wafer di silicio/sic vengono trasportati su una base di grafite. Vantaggi speciali della base di grafite rivestita in carburo di silicio di Semicera comprendono una purezza estremamente elevata, un rivestimento uniforme e una durata di servizio estremamente lunga. Hanno anche elevata resistenza chimica e stabilità termica.
Produzione di chip a LED
Durante l'ampio rivestimento del reattore MOCVD, la base planetaria o il vettore sposta il wafer del substrato. Le prestazioni del materiale di base hanno una grande influenza sulla qualità del rivestimento, che a sua volta influisce sulla velocità di rottami del chip. La base rivestita in carburo di silicio di Semicera aumenta l'efficienza di produzione di wafer a LED di alta qualità e minimizza la deviazione della lunghezza d'onda. Forniamo anche ulteriori componenti di grafite per tutti i reattori MOCVD attualmente in uso. Possiamo ricoprire quasi tutti i componenti con un rivestimento in carburo di silicio, anche se il diametro dei componenti è fino a 1,5 m, possiamo ancora ricoprire con carburo di silicio.
Campo a semiconduttore, processo di diffusione dell'ossidazione, Ecc.
Nel processo di semiconduttore, il processo di espansione dell'ossidazione richiede un'elevata purezza del prodotto e in semicera offriamo servizi di rivestimento personalizzati e CVD per la maggior parte delle parti in carburo di silicio.
L'immagine seguente mostra la sospensione in carburo di silicio a rozza di semicina e il tubo del forno in carburo di silicio che viene pulito nel 1000-livello senza polvere camera. I nostri lavoratori stanno lavorando prima del rivestimento. La purezza del nostro carburo di silicio può raggiungere 99.99% e la purezza del rivestimento SIC è maggiore di 99.99995%.
