Semicera’s SiC Ceramic Seal Part is designed for the semiconductor manufacturing industry, providing excellent sealing performance and durability. It uses high-quality Silicon Carbide (SiC) material, combined with Alumina (Al2O3) and Silicon Nitride (Si3N4), to ensure reliable performance in high temperature and harsh environments, and is widely used in wafer boats and wafer carriers.
Semicera’s self-developed SiC Ceramic Seal Part is designed to meet the high standards of modern semiconductor manufacturing. This sealing part uses high-performance silicon carbide (SiC) material with excellent wear resistance and chemical stability to ensure excellent sealing performance in extreme environments. Combined with aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (Si3N4), this part performs well in high-temperature applications and can effectively prevent gas and liquid leakage.
When used in conjunction with equipment such as wafer boats and wafer carriers, Semicera’s SiC Ceramic Seal Part can significantly improve the efficiency and reliability of the overall system. Its superior temperature resistance and corrosion resistance make it an indispensable component in high-precision semiconductor manufacturing, ensuring stability and safety during the production process.
In addition, the design of this sealing part has been carefully optimized to ensure compatibility with a variety of equipment, making it easy to use in different production lines. Semicera’s R&D team continues to work hard to promote technological innovation to ensure the competitiveness of its products in the industry.
Choosing Semicera’s SiC Ceramic Seal Part, you will get a combination of high performance and reliability, helping you achieve more efficient production processes and excellent product quality. Semicera is always committed to providing customers with the best semiconductor solutions and services to promote the continuous development and progress of the industry.
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Suscitatore di crescita dell'epitassia
I wafer in carburo di silicio/silicio devono passare attraverso più processi per essere utilizzati nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia di silicio/sic, in cui i wafer di silicio/sic vengono trasportati su una base di grafite. Vantaggi speciali della base di grafite rivestita in carburo di silicio di Semicera comprendono una purezza estremamente elevata, un rivestimento uniforme e una durata di servizio estremamente lunga. Hanno anche elevata resistenza chimica e stabilità termica.
Produzione di chip a LED
Durante l'ampio rivestimento del reattore MOCVD, la base planetaria o il vettore sposta il wafer del substrato. Le prestazioni del materiale di base hanno una grande influenza sulla qualità del rivestimento, che a sua volta influisce sulla velocità di rottami del chip. La base rivestita in carburo di silicio di Semicera aumenta l'efficienza di produzione di wafer a LED di alta qualità e minimizza la deviazione della lunghezza d'onda. Forniamo anche ulteriori componenti di grafite per tutti i reattori MOCVD attualmente in uso. Possiamo ricoprire quasi tutti i componenti con un rivestimento in carburo di silicio, anche se il diametro dei componenti è fino a 1,5 m, possiamo ancora ricoprire con carburo di silicio.
Campo a semiconduttore, processo di diffusione dell'ossidazione, Ecc.
Nel processo di semiconduttore, il processo di espansione dell'ossidazione richiede un'elevata purezza del prodotto e in semicera offriamo servizi di rivestimento personalizzati e CVD per la maggior parte delle parti in carburo di silicio.
L'immagine seguente mostra la sospensione in carburo di silicio a rozza di semicina e il tubo del forno in carburo di silicio che viene pulito nel 1000-livello senza polvere camera. I nostri lavoratori stanno lavorando prima del rivestimento. La purezza del nostro carburo di silicio può raggiungere 99.99% e la purezza del rivestimento SIC è maggiore di 99.99995%.
