Suscettori di base di grafite con rivestimento SIC per MOCVD

SUSCCTORE DI BASE DI GRAPITE PIANO Per MOCVD da Semicera è progettato per fornire prestazioni eccezionali nei processi di crescita epitassiale. Il rivestimento in carburo di silicio di alta qualità sulla base di grafite garantisce stabilità, durata e conducibilità termica ottimale durante le operazioni MOCVD (deposizione di vapore chimico organico metallico). Utilizzando la tecnologia innovativa del suscettore di Semicera, è possibile ottenere una maggiore precisione ed efficienza in Si epitaxy E Sic epitaxy applicazioni.

Questi Suscettori MOCVD sono progettati per supportare una gamma di componenti essenziali per i semiconduttori, come PSS Inctice di incisione, Corriere di incisione ICP, E Carrier RTP, rendendoli versatili per vari compiti di attacco ed epitassiale. L'impegno di Semicira per gli elevati standard garantisce che questi suscettori soddisfino le rigorose esigenze della moderna produzione di semiconduttori.

Ideale per l'uso in LED epitassiale Suscettore, suscettore a botte e processi di silicio monocristallino, questi suscettori possono essere personalizzati per diverse dimensioni di wafer, comprese le configurazioni di suscettori del pancake. Sono anche altamente efficaci nella gestione delle parti fotovoltaiche, rendendole una componente cruciale nello sviluppo di celle solari efficienti.

Inoltre, i suscettori della base di grafite rivestiti SIC per MOCVD sono ottimizzati per GAN sull'epitassia SIC, offrendo un'elevata compatibilità con materiali a semiconduttore avanzato. Sia che ti concentri sul miglioramento dei rendimenti o sul miglioramento della qualità della crescita epitassiale, i suscettori di Semicera forniscono l'affidabilità e le prestazioni necessarie per il successo nelle industrie ad alta tecnologia.