Solid CVD SiC Rings are mainly composed of silicon carbide (SiC), and have excellent physical and chemical properties. Silicon carbide is a ceramic material with a high melting point, high hardness and excellent corrosion resistance. It exhibits excellent thermal conductivity, chemical stability and mechanical strength at high temperatures, and has excellent wear and abrasion resistance.
Why is Solid CVD SiC Ring ?
Solid CVD SiC rings are widely used in industrial and scientific fields in high temperature, corrosive and abrasive environments. It plays an important role in multiple application areas, including:
1. Semiconductor manufacturing: Solid CVD SiC rings can be used for heating and cooling of semiconductor equipment, providing stable temperature control to ensure the accuracy and consistency of the process.
2. Optoelectronics: Due to its excellent thermal conductivity and high temperature resistance, Solid CVD SiC rings can be used as support and heat dissipation materials for lasers, fiber optic communication equipment and optical components.
3. Precision machinery: Solid CVD SiC rings can be used for precision instruments and equipment in high temperature and corrosive environments, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors.
4. Chemical industry: Solid CVD SiC rings can be used in containers, pipes and reactors in chemical reactions and catalytic processes due to their corrosion resistance and chemical stability.
Il nostro vantaggio, perché scegliere Semicera?
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Applicazione
Suscitatore di crescita dell'epitassia
I wafer in carburo di silicio/silicio devono passare attraverso più processi per essere utilizzati nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia di silicio/sic, in cui i wafer di silicio/sic vengono trasportati su una base di grafite. Vantaggi speciali della base di grafite rivestita in carburo di silicio di Semicera comprendono una purezza estremamente elevata, un rivestimento uniforme e una durata di servizio estremamente lunga. Hanno anche elevata resistenza chimica e stabilità termica.
Produzione di chip a LED
Durante l'ampio rivestimento del reattore MOCVD, la base planetaria o il vettore sposta il wafer del substrato. Le prestazioni del materiale di base hanno una grande influenza sulla qualità del rivestimento, che a sua volta influisce sulla velocità di rottami del chip. La base rivestita in carburo di silicio di Semicera aumenta l'efficienza di produzione di wafer a LED di alta qualità e minimizza la deviazione della lunghezza d'onda. Forniamo anche ulteriori componenti di grafite per tutti i reattori MOCVD attualmente in uso. Possiamo ricoprire quasi tutti i componenti con un rivestimento in carburo di silicio, anche se il diametro dei componenti è fino a 1,5 m, possiamo ancora ricoprire con carburo di silicio.
Campo a semiconduttore, processo di diffusione dell'ossidazione, Ecc.
Nel processo di semiconduttore, il processo di espansione dell'ossidazione richiede un'elevata purezza del prodotto e in semicera offriamo servizi di rivestimento personalizzati e CVD per la maggior parte delle parti in carburo di silicio.
L'immagine seguente mostra la sospensione in carburo di silicio a rozza di semicina e il tubo del forno in carburo di silicio che viene pulito nel 1000-livello senza polvere camera. I nostri lavoratori stanno lavorando prima del rivestimento. La purezza del nostro carburo di silicio può raggiungere 99.99% e la purezza del rivestimento SIC è maggiore di 99.99995%.
Dati della performance SIC CVD semi-Cera.