Tantalum carbide (TaC) coatings with high purity, high temperature stability and high chemical resistance

TaC coating is a new generation of high temperature resistant material, with better high temperature stability than SiC, serving as a corrosion-resistant, oxidation-resistant, and wear-resistant coating, can be used in the environment above 2000℃, widely used in aerospace ultra-high temperature hot end parts, the third generation of semiconductor single crystal growth and other fields.

Semicera offre rivestimenti specializzati in carburo di tantalum (TAC) per vari componenti e vettori. Il processo di rivestimento leader di semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalum (TAC) per ottenere elevata purezza, stabilità ad alta temperatura e elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e gli strati EPI (EPI (Suscettore TAC rivestito in grafite), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.

 

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia di CVD TAC con gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. I difetti sono facili da verificarsi nel processo di crescita dei wafer SIC, ma dopo aver utilizzato Tac, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth 

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con e senza tac

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Dopo aver usato TAC (a destra)

Inoltre, la durata della durata dei prodotti TAC di semicera è più lunga e più resistente alle alte temperature di quella del rivestimento SIC. Dopo un lungo periodo di dati di misurazione di laboratorio, il nostro TAC può funzionare a lungo al massimo di 2300 gradi Celsius. Di seguito sono riportati alcuni dei nostri campioni:

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(a) Diagramma schematico del dispositivo di crescita del lingotto a cristallo singolo SIC mediante metodo PVT (B) staffa di semi rivestito TAC superiore (incluso seme SIC) (C) Anello guida a grafite con rivestimento TAC

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Caratteristica principale

Luogo di lavoro semicera

Semicera lavoro posto 2

Macchina per attrezzature

Elaborazione della CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD

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