{"id":1397,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/silicon-carbide-epitaxy\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:45","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:45","slug":"silicon-carbide-epitaxy","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/product\/silicon-carbide-epitaxy\/","title":{"rendered":"Epitassia in carburo di silicio"},"content":{"rendered":"
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Semicera Epitassia in carburo di silicio<\/strong> \u00e8 progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni a semiconduttore. Utilizzando tecniche di crescita epitassiale avanzate, garantiamo che ogni strato di carburo di silicio mostri una qualit\u00e0 cristallina eccezionale, uniformit\u00e0 e densit\u00e0 di difetto minima. Queste caratteristiche sono cruciali per lo sviluppo di elettronica di potenza ad alte prestazioni, in cui l'efficienza e la gestione termica sono fondamentali.<\/span><\/p>\n

IL Epitassia in carburo di silicio<\/strong> Il processo a semicera \u00e8 ottimizzato per produrre strati epitassiali con spessore preciso e controllo del doping, garantendo prestazioni coerenti su una serie di dispositivi. Questo livello di precisione \u00e8 essenziale per le applicazioni nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nelle comunicazioni ad alta frequenza, in cui l'affidabilit\u00e0 ed efficienza sono fondamentali.<\/span><\/p>\n

Inoltre, Semicera's Epitassia in carburo di silicio<\/strong> Offre una conduttivit\u00e0 termica migliorata e una maggiore tensione di rottura, rendendola la scelta preferita per i dispositivi che operano in condizioni estreme. Queste propriet\u00e0 contribuiscono a una durata pi\u00f9 lunga dei dispositivi e a una migliore efficienza complessiva del sistema, in particolare in ambienti ad alta potenza e ad alta temperatura.<\/span><\/p>\n

Semicera fornisce anche opzioni di personalizzazione per Epitassia in carburo di silicio<\/strong>, consentendo soluzioni su misura che soddisfino requisiti specifici del dispositivo. Sia per la ricerca che per la produzione su larga scala, i nostri strati epitassiali sono progettati per supportare la prossima generazione di innovazioni per semiconduttori, consentendo lo sviluppo di dispositivi elettronici pi\u00f9 potenti, efficienti e affidabili.<\/span><\/p>\n

Integrando la tecnologia all'avanguardia e i rigorosi processi di controllo della qualit\u00e0, semicera garantisce che il nostro Epitassia in carburo di silicio<\/strong> I prodotti non solo soddisfano ma superano gli standard del settore. Questo impegno per l'eccellenza rende i nostri strati epitassiali le basi ideali per applicazioni a semiconduttore avanzate, aprendo la strada alle scoperte in elettronica di potenza e optoelettronica.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Elementi<\/p>\n<\/td>\n

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Produzione<\/p>\n<\/td>\n

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Ricerca<\/p>\n<\/td>\n

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Manichino<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Parametri cristallini<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Politipo<\/p>\n<\/td>\n

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4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Errore di orientamento della superficie<\/p>\n<\/td>\n

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4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Parametri elettrici<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Drogante<\/p>\n<\/td>\n

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azoto di tipo n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Resistivit\u00e0<\/p>\n<\/td>\n

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0,015-0,025ohm \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Parametri meccanici<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Diametro<\/p>\n<\/td>\n

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150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Spessore<\/p>\n<\/td>\n

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350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Orientamento piatto primario<\/p>\n<\/td>\n

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[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Lunghezza piatta primaria<\/p>\n<\/td>\n

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47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Piatto secondario<\/p>\n<\/td>\n

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Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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TTV<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5mm*5mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Arco<\/p>\n<\/td>\n

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-15\u03bcm ~ 15\u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

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-35\u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45\u03bcm ~ 45\u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ordito<\/p>\n<\/td>\n

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\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front (Si-Face) Rughess (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

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RA\u22640,2 nm (5\u03bcm*5\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Struttura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Densit\u00e0 di micrivipe<\/p>\n<\/td>\n

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<1 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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<10 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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<15 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Impurit\u00e0 dei metalli<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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BPD<\/p>\n<\/td>\n

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\u22641500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

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\u22643000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

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\u2264500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Qualit\u00e0 anteriore<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Davanti<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Finitura superficiale<\/p>\n<\/td>\n

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Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Particelle<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/wafer (dimensione\u22650,3\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Graffi<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm. Lunghezza cumulativa \u2264Diameter<\/p>\n<\/td>\n

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Diametro cumulativo della lunghezza \u22642*<\/p>\n<\/td>\n

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N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Buccia\/pozzi\/macchie\/striature\/crepe\/contaminazione<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo chips\/riendi\/frattura\/piastre esadecimale<\/p>\n<\/td>\n

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Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Aree politepi<\/p>\n<\/td>\n

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Nessuno<\/p>\n<\/td>\n

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Area cumulativa\u226420%<\/p>\n<\/td>\n

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Area cumulativa\u226430%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Marcatura laser anteriore<\/p>\n<\/td>\n

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Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Qualit\u00e0 alla schiena<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Finitura posteriore<\/p>\n<\/td>\n

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C-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Graffi<\/p>\n<\/td>\n

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\u22645ea\/mm, lunghezza cumulativa\u22642*diametro<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Difetti posteriori (bordo chip\/rientri)<\/p>\n<\/td>\n

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Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Rugosit\u00e0 posteriore<\/p>\n<\/td>\n

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RA\u22640,2 nm (5\u03bcm*5\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Marcatura laser sul retro<\/p>\n<\/td>\n

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1 mm (dal bordo superiore)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo<\/p>\n<\/td>\n

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Smussare<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Confezione<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Confezione<\/p>\n<\/td>\n

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Prepasto EPI con imballaggio a vuoto<\/p>\n

Packaging a cassette multi-wafer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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*Note \uff1a \u201cNA\u201d significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata pu\u00f2 fare riferimento a semi-std.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\n
\"Sic <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Epitassia in carburo di silicio-strati epitassiali di alta qualit\u00e0 su misura per applicazioni a semiconduttore avanzate, offrendo prestazioni superiori e affidabilit\u00e0 per elettronica di potenza e dispositivi optoelettronici.<\/p>","protected":false},"featured_media":1099,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[22,21],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1397","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-porous-graphite","7":"product_cat-specialty-graphite","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1397","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1397"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1099"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1397"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1397"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1397"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1397"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}