{"id":1403,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/30mm-aluminum-nitride-wafer-substrate\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:47","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:47","slug":"30mm-aluminum-nitride-wafer-substrate","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/product\/30mm-aluminum-nitride-wafer-substrate\/","title":{"rendered":"Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm"},"content":{"rendered":"
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Semicera<\/em> \u00e8 orgoglioso di presentare il Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm<\/strong>, un materiale di alto livello progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni elettroniche e optoelettroniche. I substrati di nitruro di alluminio (ALN) sono rinomati per la loro eccezionale conducibilit\u00e0 termica e le propriet\u00e0 di isolamento elettrico, rendendoli una scelta ideale per dispositivi ad alte prestazioni.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Caratteristiche chiave:<\/strong><\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0 Eccezionale conducibilit\u00e0 termica<\/strong>: IL Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm<\/strong> vanta una conduttivit\u00e0 termica fino a 170 W\/mk, significativamente pi\u00f9 alta rispetto ad altri materiali del substrato, garantendo un'efficace dissipazione del calore nelle applicazioni ad alta potenza.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong><\/span>Alto isolamento elettrico<\/strong>: Con eccellenti propriet\u00e0 isolanti elettriche, questo substrato riduce al minimo le interferenze di talk e del segnale, rendendolo ideale per le applicazioni RF e a microonde.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong><\/span>Resistenza meccanica<\/strong>: IL Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm<\/strong> Offre una resistenza e una stabilit\u00e0 meccaniche superiori, garantendo la durata e l'affidabilit\u00e0 anche in condizioni operative rigorose.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong><\/span>Applicazioni versatili<\/strong>: Questo substrato \u00e8 perfetto per l'uso in LED ad alta potenza, diodi laser e componenti RF, fornendo una base robusta e affidabile per i tuoi progetti pi\u00f9 esigenti.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong><\/span>Fabbricazione di precisione<\/strong>: Semicera garantisce che ogni substrato di wafer sia fabbricato con la massima precisione, offrendo uno spessore uniforme e la qualit\u00e0 della superficie per soddisfare gli standard esigenti dei dispositivi elettronici avanzati.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Massimizza l'efficienza e l'affidabilit\u00e0 dei tuoi dispositivi con Semicera Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm<\/strong>. I nostri substrati sono progettati per offrire prestazioni superiori, garantendo che i tuoi sistemi elettronici e optoelettronici funzionino al meglio. Trust Semicera per materiali all'avanguardia che guidano l'industria in termini di qualit\u00e0 e innovazione.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Elementi<\/p>\n<\/td>\n

\n

Produzione<\/p>\n<\/td>\n

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Ricerca<\/p>\n<\/td>\n

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Manichino<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Parametri cristallini<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Politipo<\/p>\n<\/td>\n

\n

4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Errore di orientamento della superficie<\/p>\n<\/td>\n

\n

4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametri elettrici<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Drogante<\/p>\n<\/td>\n

\n

azoto di tipo n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Resistivit\u00e0<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,015-0,025ohm \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametri meccanici<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Diametro<\/p>\n<\/td>\n

\n

150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Spessore<\/p>\n<\/td>\n

\n

350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Orientamento piatto primario<\/p>\n<\/td>\n

\n

[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Lunghezza piatta primaria<\/p>\n<\/td>\n

\n

47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Piatto secondario<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5mm*5mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Arco<\/p>\n<\/td>\n

\n

-15\u03bcm ~ 15\u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35\u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45\u03bcm ~ 45\u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ordito<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Front (Si-Face) Rughess (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA\u22640,2 nm (5\u03bcm*5\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Struttura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Densit\u00e0 di micrivipe<\/p>\n<\/td>\n

\n

<1 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<15 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Impurit\u00e0 dei metalli<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2264500 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Qualit\u00e0 anteriore<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Davanti<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Finitura superficiale<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si-Face CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Particelle<\/p>\n<\/td>\n

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\u226460ea\/wafer (dimensione\u22650,3\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Graffi<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm. Lunghezza cumulativa \u2264Diameter<\/p>\n<\/td>\n

\n

Diametro cumulativo della lunghezza \u22642*<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Buccia\/pozzi\/macchie\/striature\/crepe\/contaminazione<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo chips\/riendi\/frattura\/piastre esadecimale<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Aree politepi<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Area cumulativa\u226420%<\/p>\n<\/td>\n

\n

Area cumulativa\u226430%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Marcatura laser anteriore<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Qualit\u00e0 alla schiena<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Finitura posteriore<\/p>\n<\/td>\n

\n

C-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Graffi<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645ea\/mm, lunghezza cumulativa\u22642*diametro<\/p>\n<\/td>\n

\n

N \/ A<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Difetti posteriori (bordo chip\/rientri)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nessuno<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Rugosit\u00e0 posteriore<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA\u22640,2 nm (5\u03bcm*5\u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Marcatura laser sul retro<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (dal bordo superiore)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Bordo<\/p>\n<\/td>\n

\n

Smussare<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Confezione<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Confezione<\/p>\n<\/td>\n

\n

Prepasto EPI con imballaggio a vuoto<\/p>\n

Packaging a cassette multi-wafer<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

*Note \uff1a \u201cNA\u201d significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata pu\u00f2 fare riferimento a semi-std.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\n
\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\n
\"Sic <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm - eleva le prestazioni dei dispositivi elettronici e optoelettronici con substrato di wafer di nitruro di alluminio da 30 mm di semicera, progettato per una conducibilit\u00e0 termica eccezionale e un elevato isolamento elettrico.<\/p>","protected":false},"featured_media":675,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[55,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1403","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ain-wafer","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1403","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1403"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/675"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1403"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1403"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1403"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1403"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}