{"id":2225,"date":"2025-09-11T05:33:27","date_gmt":"2025-09-11T05:33:27","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/sic-carrier-for-rtp-rta-rapid-heating-heat-treatment\/"},"modified":"2026-04-29T15:28:12","modified_gmt":"2026-04-29T07:28:12","slug":"sic-carrier-for-rtp-rta-rapid-heating-heat-treatment","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/product\/sic-carrier-for-rtp-rta-rapid-heating-heat-treatment\/","title":{"rendered":"SiC carrier for RTP\/RTA rapid heating heat treatment"},"content":{"rendered":"
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Descrizione<\/span> <\/h3>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SIC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscono ad alta temperatura per ottenere molecole SiC ad alta purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato di protezione SIC.<\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\"SiC <\/img><\/a> <\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"SiC <\/img><\/a> <\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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Caratteristiche principali<\/span> <\/h3>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
La resistenza all'ossidazione \u00e8 ancora molto buona quando la temperatura \u00e8 alta fino al 1600 C.
2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.
3. Resistenza all'erosione: alta durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acido, alcali, sale e reagenti organici.<\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC<\/span> <\/h3>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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Propriet\u00e0 SIC-CVD<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

Struttura cristallina<\/td>\nFase \u03b2 FCC<\/td>\n<\/tr>\n
Densit\u00e0<\/td>\ng\/cm \u00b3<\/td>\n3.21<\/td>\n<\/tr>\n
Durezza<\/td>\nVickers Durezza<\/td>\n2500<\/td>\n<\/tr>\n
Dimensione del grano<\/td>\n\u00b5m<\/td>\n2~10<\/td>\n<\/tr>\n
Purezza chimica<\/td>\n%<\/td>\n99.99995<\/td>\n<\/tr>\n
Capacit\u00e0 termica<\/td>\nJ \u00b7 kg-1 \u00b7 k-1<\/td>\n640<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura di sublimazione<\/td>\n\u2103<\/td>\n2700<\/td>\n<\/tr>\n
Forza felexurale<\/td>\nMPA (RT 4-point)<\/td>\n415<\/td>\n<\/tr>\n
Young’ s Modulus<\/td>\nGPA (4pt Bend, 1300 \u2103)<\/td>\n430<\/td>\n<\/tr>\n
Espansione termica (CTE)<\/td>\n10-6K-1<\/td>\n4.5<\/td>\n<\/tr>\n
Conducibilit\u00e0 termica<\/td>\n(W\/MK)<\/td>\n300<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"Luogo <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"Semicera <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"Macchina <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"Elaborazione <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
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\"Il <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Il carburo di silicio \u00e8 un nuovo tipo di ceramica con prestazioni ad alto costo e eccellenti propriet\u00e0 dei materiali. A causa di caratteristiche come l'alta resistenza e la durezza, la resistenza ad alta temperatura, la grande conduttivit\u00e0 termica e la resistenza alla corrosione chimica, il carburo di silicio pu\u00f2 quasi resistere a tutto il mezzo chimico. Pertanto, i SIC sono ampiamente utilizzati nell'estrazione petrolifera, chimica, macchinari e spazio aereo, persino l'energia nucleare e i militari hanno le loro richieste speciali su SIC. Alcune normali applicazione che possiamo offrire sono gli anelli di tenuta per pompa, valvola e armatura protettiva ecc. Siamo in grado di progettare e fabbricare in base alle dimensioni specifiche con buona qualit\u00e0 e tempo di consegna ragionevole.<\/p>","protected":false},"featured_media":740,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[16,66],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-2225","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-cvd-sic","7":"product_cat-etching-process-parts","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2225","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2225"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/740"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2225"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2225"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2225"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2225"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}