Semicera’s SOI Wafer (Silicon On Insulator) provides exceptional electrical isolation and performance for advanced semiconductor applications. Engineered for superior thermal and electrical efficiency, these wafers are ideal for high-performance integrated circuits. Choose Semicera for quality and reliability in SOI wafer technology.
Semicera’s SOI Wafer (Silicon On Insulator) is designed to deliver superior electrical isolation and thermal performance. This innovative wafer structure, featuring a silicon layer on an insulating layer, ensures enhanced device performance and reduced power consumption, making it ideal for a variety of high-tech applications.
Our SOI wafers offer exceptional benefits for integrated circuits by minimizing parasitic capacitance and improving device speed and efficiency. This is crucial for modern electronics, where high performance and energy efficiency are essential for both consumer and industrial applications.
Semicera employs advanced manufacturing techniques to produce SOI wafers with consistent quality and reliability. These wafers provide excellent thermal insulation, making them suitable for use in environments where heat dissipation is a concern, such as in high-density electronic devices and power management systems.
The use of SOI wafers in semiconductor fabrication allows for the development of smaller, faster, and more reliable chips. Semicera’s commitment to precision engineering ensures that our SOI wafers meet the high standards required for cutting-edge technologies in fields like telecommunications, automotive, and consumer electronics.
Choosing Semicera’s SOI Wafer means investing in a product that supports the advancement of electronic and microelectronic technologies. Our wafers are designed to provide enhanced performance and durability, contributing to the success of your high-tech projects and ensuring that you stay at the forefront of innovation.
アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
150.0±0.2mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
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二次フラット |
なし |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
LTV |
≤3μm(5mm*5mm) |
≤5μm(5mm*5mm) |
≤10μm(5mm*5mm) |
弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
フロント(si-face)粗さ(AFM) |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
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構造 |
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マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
フロント品質 |
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フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ(サイズ以上0.3μm) |
Na |
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傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
|
エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
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バック欠陥(エッジチップ/インデント) |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
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バックレーザーマーキング |
1 mm(上端から) |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
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*注:「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |