4インチのグラファイトベースMOCVD機器部品の36個

● Product introduction and use: Placing 36 pieces of 4 inch substrate, used for the growth of blue-green epitaxial films in LED production
● Device location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the wafer
● Main downstream products: LED chips
● Main end market: LED

説明

 

 

 

 

 

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

 

 

 

 

 

 

グラファイトベース -  36

 

 

 

 

 

 

 

 

 

主な機能

 

 

 

 

 

1。高温酸化抵抗:
温度が1600 Cになると、酸化抵抗は非常に良好です。
2。高純度:高温塩素化条件下での化学蒸気堆積によって作られています。
3。侵食抵抗:高硬度、コンパクトな表面、微粒子。
4。耐食性:酸、アルカリ、塩、有機試薬。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CVD-SICコーティングの主な仕様

 

 

 

 

 

SIC-CVDプロパティ
結晶構造 FCC β phase
密度 g/cm ³ 3.21
硬度 ビッカーズの硬さ 2500
穀物サイズ μm 2~10
化学純度 % 99.99995
熱容量 J·kg-1 ·K-1 640
昇華温度 2700
フェレキュラルの強さ MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA(4ptベンド、1300℃) 430
熱膨張(CTE) 10-6K-1 4.5
熱伝導率 (w/mk) 300

 

 

 

 

 

 

 

 

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