10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate– Ideal for advanced optoelectronic applications, offering superior crystalline quality and stability in a compact, high-precision format.
Semicera’s 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate is meticulously designed to meet the exacting requirements of advanced optoelectronic applications. This substrate features a nonpolar M-plane orientation, which is critical for reducing polarization effects in devices such as LEDs and laser diodes, leading to enhanced performance and efficiency.
The 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate is crafted with exceptional crystalline quality, ensuring minimal defect densities and superior structural integrity. This makes it an ideal choice for the epitaxial growth of high-quality III-nitride films, which are essential for the development of next-generation optoelectronic devices.
Semicera’s precision engineering ensures that each 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate offers consistent thickness and surface flatness, which are crucial for uniform film deposition and device fabrication. Additionally, the substrate’s compact size makes it suitable for both research and production environments, allowing for flexible use in a variety of applications. With its excellent thermal and chemical stability, this substrate provides a reliable foundation for the development of cutting-edge optoelectronic technologies.
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アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
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クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
150.0±0.2mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
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二次フラット |
なし |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3μm（5mm*5mm） |
≤5μm（5mm*5mm） |
≤10μm（5mm*5mm） |
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弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
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ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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フロント（si-face）粗さ（AFM） |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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構造 |
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マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
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金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
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BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
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TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
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フロント品質 |
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フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3μm） |
Na |
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傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
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オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
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エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
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フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
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バック欠陥（エッジチップ/インデント） |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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バックレーザーマーキング |
1 mm（上端から） |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
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*注：「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |
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