半挿入SIC基質は、抵抗率が高い半導体材料であり、抵抗率は100,000Ω・cmを超えています。半挿入SIC基質は、主に窒化ガリウムマイクロ波RFデバイスや高電子モビリティトランジスタ(HEMT)などのマイクロ波RFデバイスの製造に使用されます。これらのデバイスは、主に5G通信、衛星通信、レーダー、その他のフィールドで使用されています。
Semiceraの4インチ6インチの半断熱SIC基板は、RFおよびパワーデバイスアプリケーションの厳しい要件を満たすために設計された高品質の材料です。基板は、優れた熱伝導率と炭化シリコンの高分岐電圧を半挿入特性と組み合わせて、高度な半導体デバイスを開発するのに理想的な選択肢となります。
4インチ6インチの半挿入SIC基質は、高純度の材料と一貫した半断熱性能を確保するために慎重に製造されています。これにより、基質は、アンプやトランジスタなどのRFデバイスで必要な電気分離を提供すると同時に、高出力アプリケーションに必要な熱効率を提供することが保証されます。その結果、幅広い高性能電子製品で使用できる汎用性の高い基質が得られます。
Semiceraは、重要な半導体アプリケーションに信頼できる欠陥のない基質を提供することの重要性を認識しています。私たちの4インチ6インチの半挿入SIC基質は、結晶欠陥を最小限に抑え、材料の均一性を改善する高度な製造技術を使用して生成されます。これにより、製品はパフォーマンス、安定性、寿命が強化されたデバイスの製造をサポートできます。
Semiceraの品質へのコミットメントにより、4インチ6インチの半挿入SIC基板が、幅広いアプリケーションで信頼性の高い一貫したパフォーマンスを提供します。高周波デバイスを開発している場合でも、エネルギー効率の高い電力ソリューションを開発している場合でも、半断熱SIC基質は、次世代電子機器の成功の基盤を提供します。
| サイズ | 6-inch | 4-inch | 
| 直径 | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 100.0mm+0mm/-0.5mm | 
| 表面の向き | {0001}±0.2° | |
| 一次フラットオリエンテーション | / | ±5° | 
| セカンダリフラットオリエンテーション | / | シリコンの表面上:プライムフラット5°から90°CW | 
| プライマリフラット長 | / | 32.5 mm 2.0 mm | 
| 二次フラット長 | / | 18.0 mm 2.0 mm | 
| ノッチオリエンテーション | ±1.0° | / | 
| ノッチオリエンテーション | 1.0mm+0.25 mm/-0.00 mm | / | 
| ノッチ角 | 90°+5°/-1° | / | 
| 厚さ | 500.0um 25.0um | |
| 導電性タイプ | 半挿入 | |
| LTEM | 6-inch | 4-inch | 
| 抵抗率 | ≥1e9q・cm | |
| ポリタイプ | 許可されていません | |
| マイクロパイプ密度 | ≤0.5/cm2 | ≤0.3/cm2 | 
| 高強度の光によるヘックスプレート | 許可されていません | |
| 高による視覚炭素包有物 | 累積面積≤0.05% | |
 
  
  
 