Semicera offers a wide range of 4H-8H SiC wafers. For many years, we have been a manufacturer and supplier of products to the semiconductor and photovoltaic industries. Our main products include: Silicon carbide etch plates, silicon carbide boat trailers, silicon carbide wafer boats (PV & Semiconductor), silicon carbide furnace tubes, silicon carbide cantilever paddles, silicon carbide chucks, silicon carbide beams, as well as CVD SiC coatings and TaC coatings. Covering most European and American markets. We look forward to being your long-term partner in China.
Silicon carbide (SiC) single crystal material has a large band gap width (~Si 3 times), high thermal conductivity (~Si 3.3 times or GaAs 10 times), high electron saturation migration rate (~Si 2.5 times), high breakdown electric field (~Si 10 times or GaAs 5 times) and other outstanding characteristics.
Semicera energy can provide customers with high-quality Conductive (Conductive), Semi-insulating (Semi-insulating), HPSI (High Purity semi-insulating) silicon carbide substrate; In addition, we can provide customers with homogeneous and heterogeneous silicon carbide epitaxial sheets; We can also customize the epitaxial sheet according to the specific needs of customers, and there is no minimum order quantity.
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アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
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クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
99.5 – 100mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
32.5±1.5mm |
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Secondary flat position |
90° CW from primary flat ±5°. silicon face up |
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Secondary flat length |
18±1.5mm |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤20 μm |
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LTV |
≤2 μm(5mm*5mm) |
≤5μm（5mm*5mm） |
Na |
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弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
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ワープ |
≤20 μm |
≤45 µm |
≤50 μm |
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フロント（si-face）粗さ（AFM） |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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構造 |
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マイクロパイプ密度 |
≤1 ea/cm2 |
≤5 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
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金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
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BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
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TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
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フロント品質 |
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フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3μm） |
Na |
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傷 |
≤2ea/mm. Cumulative length ≤Diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
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オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
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エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
Na |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
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フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
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バック欠陥（エッジチップ/インデント） |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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バックレーザーマーキング |
1 mm（上端から） |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
The inner bag is filled with nitrogen and the outer bag is vacuumed. Multi-wafer cassette, epi-ready. |
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*注：「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |
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