41個のピース​​4インチグラファイトベースMOCVD機器部品

● Product introduction and use: Placed 41 pieces of 4 inch substrate, used for the growth of blue-green epitaxial films in LED production
● Device location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the wafer
● Main downstream products: LED chips
● Main end market: LED

説明

 

 

 

 

 

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming a SiC protective layer.

 

 

 

 

 

 

41個のピース​​4インチグラファイトベースMOCVD機器部品

 

 

 

 

 

 

 

 

 

主な機能

 

 

 

 

 

1。高温酸化抵抗:
the oxidation resistance is still very good when the temperature is as high as 1600 ℃.
2。高純度:高温塩素化条件下での化学蒸気堆積によって作られています。
3。侵食抵抗:高硬度、コンパクトな表面、微粒子。
4。耐食性:酸、アルカリ、塩、有機試薬。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CVD-SICコーティングの主な仕様

 

 

 

 

 

SIC-CVDプロパティ
結晶構造 FCC β phase
密度 g/cm ³ 3.21
硬度 ビッカーズの硬さ 2500
穀物サイズ μm 2~10
化学純度 % 99.99995
熱容量 J·kg-1 ·K-1 640
昇華温度 2700
フェレキュラルの強さ MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA(4ptベンド、1300℃) 430
熱膨張(CTE) 10-6K-1 4.5
熱伝導率 (w/mk) 300

 

 

 

 

 

 

 

 

セミセラの職場

 

 

 

セミセラ職場2

 

 

 

機器マシン

 

 

 

CNN処理、化学洗浄、CVDコーティング

 

 

 

セミセラウェアハウス

 

 

 

私たちのサービス

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ニューレター

私たちとの連絡を楽しみにしています