Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are engineered for maximum efficiency and reliability in high-performance electronics. These wafers feature excellent thermal and electrical properties, making them ideal for a variety of applications, including power devices and high-frequency electronics. Choose Semicera for superior quality and innovation.
Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are designed to meet the rigorous demands of modern semiconductor technology. With exceptional purity and consistency, these wafers serve as a reliable foundation for developing high-efficiency electronic components.
These HPSI SiC wafers are known for their outstanding thermal conductivity and electrical insulation, which are critical for optimizing the performance of power devices and high-frequency circuits. The semi-insulating properties help in minimizing electrical interference and maximizing device efficiency.
The high-quality manufacturing process employed by Semicera ensures that each wafer has uniform thickness and minimal surface defects. This precision is essential for advanced applications such as radio frequency devices, power inverters, and LED systems, where performance and durability are key factors.
By leveraging state-of-the-art production techniques, Semicera provides wafers that not only meet but exceed industry standards. The 6-inch size offers flexibility in scaling up production, catering to both research and commercial applications in the semiconductor sector.
Choosing Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers means investing in a product that delivers consistent quality and performance. These wafers are part of Semicera’s commitment to advancing the capabilities of semiconductor technology through innovative materials and meticulous craftsmanship.
アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
クリスタルパラメーター |
|||
ポリタイプ |
4H |
||
表面向きエラー |
4±0.15° |
||
電気パラメーター |
|||
ドーパント |
N型窒素 |
||
抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
||
機械的パラメーター |
|||
直径 |
150.0±0.2mm |
||
厚さ |
350±25 µm |
||
一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
||
プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
||
二次フラット |
なし |
||
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
LTV |
≤3μm(5mm*5mm) |
≤5μm(5mm*5mm) |
≤10μm(5mm*5mm) |
弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
フロント(si-face)粗さ(AFM) |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
||
構造 |
|||
マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
フロント品質 |
|||
フロント |
si |
||
表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
||
粒子 |
≤60EA/ウェーハ(サイズ以上0.3μm) |
Na |
|
傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
|
エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
||
ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
フロントレーザーマーキング |
なし |
||
バック品質 |
|||
バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
||
傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
|
バック欠陥(エッジチップ/インデント) |
なし |
||
背中の粗さ |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
||
バックレーザーマーキング |
1 mm(上端から) |
||
角 |
|||
角 |
面取り |
||
パッケージング |
|||
パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
||
*注:「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |