Ga2O3Substrate– Unlock new possibilities in power electronics and optoelectronics with Semicera’s Ga2O3Substrate, engineered for exceptional performance in high-voltage and high-frequency applications.
Semicera is proud to present the Ga2O3 Substrate, a cutting-edge material poised to revolutionize power electronics and optoelectronics. Gallium Oxide (Ga2O3) substrates are known for their ultra-wide bandgap, making them ideal for high-power and high-frequency devices.
Key Features:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 offers a bandgap of approximately 4.8 eV, significantly enhancing its ability to handle high voltages and temperatures compared to traditional materials like Silicon and GaN.
• High Breakdown Voltage: With an exceptional breakdown field, the Ga2O3 Substrate is perfect for devices requiring high-voltage operation, ensuring greater efficiency and reliability.
• Thermal Stability: The material’s superior thermal stability makes it suitable for applications in extreme environments, maintaining performance even under harsh conditions.
• Versatile Applications: Ideal for use in high-efficiency power transistors, UV optoelectronic devices, and more, providing a robust foundation for advanced electronic systems.
Experience the future of semiconductor technology with Semicera’s Ga2O3 Substrate. Designed to meet the growing demands of high-power and high-frequency electronics, this substrate sets a new standard for performance and durability. Trust Semicera to deliver innovative solutions for your most challenging applications.
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アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
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クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
150.0±0.2mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
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二次フラット |
なし |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3μm（5mm*5mm） |
≤5μm（5mm*5mm） |
≤10μm（5mm*5mm） |
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弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
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ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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フロント（si-face）粗さ（AFM） |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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構造 |
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マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
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金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
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BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
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TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
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フロント品質 |
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フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3μm） |
Na |
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傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
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オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
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エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
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フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
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バック欠陥（エッジチップ/インデント） |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm（5μm*5μm） |
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バックレーザーマーキング |
1 mm（上端から） |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
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*注：「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |
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