Semicera Silicon Substrates are precision-engineered for high-performance applications in electronics and semiconductor manufacturing. With exceptional purity and uniformity, these substrates are designed to support advanced technological processes. Semicera ensures consistent quality and reliability for your most demanding projects.
Semicera Silicon Substrates are crafted to meet the rigorous demands of the semiconductor industry, offering unparalleled quality and precision. These substrates provide a reliable foundation for various applications, from integrated circuits to photovoltaic cells, ensuring optimal performance and longevity.
The high purity of Semicera Silicon Substrates ensures minimal defects and superior electrical characteristics, which are critical for the production of high-efficiency electronic components. This level of purity helps in reducing energy loss and improving the overall efficiency of semiconductor devices.
Semicera employs state-of-the-art manufacturing techniques to produce silicon substrates with exceptional uniformity and flatness. This precision is essential for achieving consistent results in semiconductor fabrication, where even the slightest variation can impact device performance and yield.
Available in a variety of sizes and specifications, Semicera Silicon Substrates cater to a wide range of industrial needs. Whether you are developing cutting-edge microprocessors or solar panels, these substrates provide the flexibility and reliability required for your specific application.
Semicera is dedicated to supporting innovation and efficiency in the semiconductor industry. By providing high-quality silicon substrates, we enable manufacturers to push the boundaries of technology, delivering products that meet the evolving demands of the market. Trust Semicera for your next-generation electronic and photovoltaic solutions.
アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
150.0±0.2mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
||
二次フラット |
なし |
||
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
LTV |
≤3μm(5mm*5mm) |
≤5μm(5mm*5mm) |
≤10μm(5mm*5mm) |
弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
フロント(si-face)粗さ(AFM) |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
||
構造 |
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マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
フロント品質 |
|||
フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ(サイズ以上0.3μm) |
Na |
|
傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
|
エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
|
バック欠陥(エッジチップ/インデント) |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
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バックレーザーマーキング |
1 mm(上端から) |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
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*注:「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |