Wafer Cassette Carrier– Ensure the safe and efficient transport of your wafers with Semicera’s Wafer Cassette Carrier, designed for optimal protection and ease of handling in semiconductor manufacturing.
Semicera introduces the Wafer Cassette Carrier, a critical solution for the secure and efficient handling of semiconductor wafers. This carrier is engineered to meet the stringent requirements of the semiconductor industry, ensuring the protection and integrity of your wafers throughout the manufacturing process.
Key Features:
• Robust Construction: The Wafer Cassette Carrier is built from high-quality, durable materials that withstand the rigors of semiconductor environments, providing reliable protection against contamination and physical damage.
• Precise Alignment: Designed for precise wafer alignment, this carrier ensures that wafers are securely held in place, minimizing the risk of misalignment or damage during transport.
• Easy Handling: Ergonomically designed for ease of use, the carrier simplifies the loading and unloading process, improving workflow efficiency in cleanroom environments.
• Compatibility: Compatible with a wide range of wafer sizes and types, making it versatile for various semiconductor manufacturing needs.
Experience unparalleled protection and convenience with Semicera’s Wafer Cassette Carrier. Our carrier is designed to meet the highest standards of semiconductor manufacturing, ensuring your wafers remain in pristine condition from start to finish. Trust Semicera to deliver the quality and reliability you need for your most critical processes.
アイテム |
生産 |
研究 |
ダミー |
クリスタルパラメーター |
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ポリタイプ |
4H |
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表面向きエラー |
4±0.15° |
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電気パラメーター |
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ドーパント |
N型窒素 |
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抵抗率 |
0.015-0.025OHM・CM |
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機械的パラメーター |
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直径 |
150.0±0.2mm |
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厚さ |
350±25 µm |
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一次フラットオリエンテーション |
[1-100]±5° |
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プライマリフラット長 |
47.5±1.5mm |
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二次フラット |
なし |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
LTV |
≤3μm(5mm*5mm) |
≤5μm(5mm*5mm) |
≤10μm(5mm*5mm) |
弓 |
-15μm〜15μm |
-35μm〜35μm |
-45μm〜45μm |
ワープ |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
フロント(si-face)粗さ(AFM) |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
||
構造 |
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マイクロパイプ密度 |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
金属の不純物 |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
フロント品質 |
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フロント |
si |
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表面仕上げ |
SI-FACE CMP |
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粒子 |
≤60EA/ウェーハ(サイズ以上0.3μm) |
Na |
|
傷 |
≤5EA/mm。累積長さ≤diameter |
累積長さ2*直径 |
Na |
オレンジの皮/ピット/染色/縞/亀裂/汚染 |
なし |
Na |
|
エッジチップ/インデント/骨折/ヘックスプレート |
なし |
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ポリタイプの領域 |
なし |
累積面積≤20% |
累積面積以下30% |
フロントレーザーマーキング |
なし |
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バック品質 |
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バックフィニッシュ |
C-Face CMP |
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傷 |
≤5EA/mm、累積長さ2*直径 |
Na |
|
バック欠陥(エッジチップ/インデント) |
なし |
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背中の粗さ |
RA≤0.2nm(5μm*5μm) |
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バックレーザーマーキング |
1 mm(上端から) |
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角 |
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角 |
面取り |
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パッケージング |
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パッケージング |
真空パッケージングを使用したEPIの準備 マルチワーファーカセットパッケージ |
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*注:「NA」とは、言及されていないリクエスト項目がSemi-STDを参照することはできないことを意味します。 |