4 Inch SiC Substrate N-type

Semicera offers a wide range of 4H-8H SiC wafers. For many years, we have been a manufacturer and supplier of products to the semiconductor and photovoltaic industries. Our main products include: Silicon carbide etch plates, silicon carbide boat trailers, silicon carbide wafer boats (PV & Semiconductor), silicon carbide furnace tubes, silicon carbide cantilever paddles, silicon carbide chucks, silicon carbide beams, as well as CVD SiC coatings and TaC coatings. Covering most European and American markets. We look forward to being your long-term partner in China.

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실리콘 카바이드 (SIC) 단결정 재료는 큰 밴드 갭 너비 (~ SI 3 회), 높은 열전도율 (~ SI 3.3 배 또는 GAAS 10 배), 높은 전자 포화 이동 속도 (~ SI 2.5 배), 높은 고장 전기장 (~ SI 10 회 또는 GAAS 5 회)을 갖습니다.

Semicera Energy는 고객에게 고품질 전도성 (전도성), 반 구조화 (반 감동), HPSI (고순도 반 줄화) 실리콘 카바이드 기판을 제공 할 수 있습니다. 또한, 우리는 고객에게 균질하고 이질적인 실리콘 카바이드 에피 택셜 시트를 제공 할 수 있습니다. 또한 고객의 특정 요구에 따라 에피 택셜 시트를 사용자 정의 할 수 있으며 최소 주문 수량은 없습니다.

 

 

 

 

 

 

항목

생산

연구

더미

결정 매개 변수

폴리 타입

4H

표면 방향 오류

<11-20 >4±0.15°

전기 매개 변수

도펀트

N- 타입 질소

저항

0.015-0.025ohm·cm

기계적 매개 변수

지름

99.5 – 100mm

두께

350±25 μm

1 차 평평한 방향

[1-100]±5°

1 차 평평한 길이

32.5±1.5mm

Secondary flat position

90° CW from primary flat ±5°. silicon face up

Secondary flat length

18±1.5mm

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤20 μm

LTV

≤2 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

NA

절하다

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

경사

≤20 μm

≤45 μm

≤50 μm

전면 (si-face) 거칠기 (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

구조

마이크로 파이프 밀도

≤1 ea/cm2

≤5 ea/cm2

≤10 ea/cm2

금속 불순물

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

프론트 품질

앞쪽

표면 마감

Si-Face CMP

입자

≤60ea/wafer (size≥0.3μm)

NA

흠집

≤2ea/mm. Cumulative length ≤Diameter

Cumulative length≤2*Diameter

NA

오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염

없음

NA

에지 칩/인테이션/골절/육각 플레이트

없음

NA

폴리 타입 영역

없음

Cumulative area≤20%

Cumulative area≤30%

전면 레이저 표시

없음

뒤로 품질

뒤로 마무리

C-Face CMP

흠집

≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter

NA

등 결함 (Edge Chips/Indents)

없음

뒤로 거칠기

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

뒤 레이저 표시

1 mm (상단 가장자리에서)

가장자리

가장자리

모따기

포장

포장

The inner bag is filled with nitrogen and the outer bag is vacuumed.

Multi-wafer cassette, epi-ready.

*참고 :“NA”는 언급되지 않은 요청 항목이 Semi-STD를 참조 할 수 없음을 의미합니다.

 

 

 

 

 

sic wafers

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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