Epitaksja GA2O3

Ga2O3Epitaxy– Enhance your high-power electronic and optoelectronic devices with Semicera’s Ga2O3Epitaxy, offering unmatched performance and reliability for advanced semiconductor applications.

Półcesta proudly offers Ga₂O₃ Epitaxy, a state-of-the-art solution designed to push the boundaries of power electronics and optoelectronics. This advanced epitaxial technology leverages the unique properties of Gallium Oxide (Ga₂O₃) to deliver superior performance in demanding applications.

Key Features:

• Exceptional Wide Bandgap: Ga₂O₃ Epitaxy features an ultra-wide bandgap, allowing for higher breakdown voltages and efficient operation in high-power environments.

• High Thermal Conductivity: The epitaxial layer provides excellent thermal conductivity, ensuring stable operation even under high-temperature conditions, making it ideal for high-frequency devices.

• Superior Material Quality: Achieve high crystal quality with minimal defects, ensuring optimal device performance and longevity, especially in critical applications such as power transistors and UV detectors.

• Versatility in Applications: Perfectly suited for power electronics, RF applications, and optoelectronics, providing a reliable foundation for next-generation semiconductor devices.

Discover the potential of Ga₂O₃ Epitaxy with Semicera’s innovative solutions. Our epitaxial products are designed to meet the highest standards of quality and performance, enabling your devices to operate with maximum efficiency and reliability. Choose Semicera for cutting-edge semiconductor technology.

Rzeczy	Produkcja	Badania	Atrapa
Parametry kryształów
Polityp	4H
Błąd orientacji powierzchni	4±0.15°
Parametry elektryczne
Dopant	azot typu N.
Oporność	0,015-0,025OHM · cm
Parametry mechaniczne
Średnica	150,0 ± 0,2 mm
Grubość	350 ± 25 µm
Pierwotna płaska orientacja	[1-100]±5°
Pierwotna płaska długość	47,5 ± 1,5 mm
Wtórne mieszkanie	Nic
TTV	≤5 µm	≤10 µm	≤15 µm
LTV	≤3 μm (5 mm*5 mm)	≤5 μm (5 mm*5 mm)	≤10 μm (5 mm*5 mm)
Ukłon	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Osnowa	≤35 µm	≤45 µm	≤55 µm
Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM)	RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)
Struktura
Gęstość mikropipe	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Zanieczyszczenia metalowe	≤5E10atoms/cm2		Na
BPD	≤1500 EA/CM2	≤3000 EA/CM2	Na
TSD	≤500 EA/CM2	≤1000 EA/CM2	Na
Jakość z przodu
Przód	Si
Wykończenie powierzchni	SI-FACE CMP
Cząsteczki	≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm)	Na
Zadrapania	≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter	Skumulowana długość ≤2*średnica	Na
Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie	Nic		Na
Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty	Nic
Obszary politypowe	Nic	Obszar skumulowany ≤20%	Obszar skumulowany ≤30%
Przednie oznaczenie lasera	Nic
Jakość wstecz
Wstecz	CMP-FACE CMP
Zadrapania	≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica	Na
Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory)	Nic
Chropowatość pleców	RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)
Oznaczenie lasera z tyłu	1 mm (od górnej krawędzi)
Krawędź
Krawędź	Ścięcie
Opakowanie
Opakowanie	Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym Opakowanie kaseta z wieloma falami
*Uwagi ： „Na” oznacza, że brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD.